---本文来源于网络，仅供参考，勿照抄，如有侵权请联系删除---ICS77.040H21YS中华人民共和国有色金属行业标准YS/T26—XXXX代替YS/T26-1992硅片边缘轮廓检验方法Testmethodsforedgecontourofcircularwafersofsilicon（送审讨论稿）（本稿完成日期：20150910）XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施中华人民共和国工业和信息化部发布前言本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。本标准代替YS/T26-1992《硅片边缘轮廓检验方法》。本标准与YS/T26-1992相比，主要变动如下：——增加了引用文件、术语和定义、干扰因素等章节；——增加了非破坏性检验方法B、方法C。本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）提出并归口。本标准起草单位：洛阳单晶硅集团有限责任公司、本标准主要起草人：田素霞、李战国、苗利刚、陈卫群、焦二强、王文卫。本标准代替标准历次版本发布情况为：——YS/T26-1992。---本文来源于网络，仅供参考，勿照抄，如有侵权请联系删除---硅片边缘轮廓检验方法1范围本标准规定了硅片边缘轮廓的检验方法。本标准适用于检验倒角硅片的边缘轮廓，砷化镓等其他材料晶片边缘轮廓的检验可参照本标准执行。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T14264半导体材料术语3术语和定义GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。4方法提要本标准规定了方法A、B、C三种测试方法，其测试原理分别如下：a)方法A：沿硅片径向划开形成剖面，借助光学比较仪或投影显微镜，形成一个硅片片边缘区域的剖面聚焦图形，将图形与边缘轮廓模板坐标图比较，确定边缘轮廓是否合格。本方法是破坏性的，限于圆周上离散点的检查，包括参考面。常用于直径不大于150mm硅片参考面倒角轮廓的检测。b)方法B：将硅片放置在平行光路下，硅片边缘投影到显示屏上，边缘轮廓的图像与边缘轮廓模板坐标图比较，确定边缘轮廓是否合格。本方法是非破坏性的，可检查除了参考面或切口外硅片轮廓所有的点，常用于直径不大于200mm硅片除参考面外边缘轮廓的检测。c)方法C：将硅片放置在光源下，光源垂直照在硅片边缘，CCD相机将硅片边缘（不包括参考面）或切口参考面的轮廓形状的图像导入电脑，通过专用分析软件对检测图像进行分析，然后将边缘轮廓形状的图像和测试结果显示在显示屏上。本方法是无接触、非破坏性的，可以测试硅片边缘和切口参考面的轮廓形状，操作简单便捷，可以直观的确定硅片边缘轮廓是否合适，适用于各种尺寸、夹角和形状的硅片边缘轮廓的检测。本方法适用于日常过程监控，例如倒角机的调试、日常质量控制和进货、出厂检验等。5干扰因素5.1光路上的外来物质、靠近已倒角硅片边缘的表面大颗粒、倒角边缘上的颗粒或其他异物都会给出一个错误的边缘轮廓，掩盖正确的轮廓形状。5.2对于方法C，设备的设置不同会带来测试数据的明显差异。5.3硅片上不同点的测量，可能带来测试数据的差异。”---本文来源于网络，仅供参考，勿照抄，如有侵权请联系删除---6仪器设备6.1方法A测试所需的仪器设备如下：a)光学比较仪或投影显微镜，放大倍数至少为100倍；b)用于固定待测硅片的夹具；c)硅片边缘轮廓模板坐标图，如图1所示，由一个确定硅片边缘轮廓合格的透明区域和一个半透明的限制区域组成，其特征点坐标和基本尺寸应符合图2和表1的规定，其制作方法按图1、图2和表1的规定；d)量块或精密棒，与待测硅片厚度相同，可确定设备放大倍数；e)150mm长直尺，最小刻度为0.5mm或更小。6.2方法B测试所需的仪器设备如下：a)平行光源和可视系统，可视系统由投影仪、镜头和显示器组成。显示器应可以显示1mm×1mm的区域，可视系统提供给显示器的放大倍数至少为100倍；b)用于固定待测硅片的夹具；c)硅片边缘轮廓模板坐标图，如图1所示，由一个确定硅片边缘轮廓合格的透明区域和一个半透明的限制区域组成，其特征点坐标和基本尺寸应符合图2和表1的规定，其制作方法按图1、图2和表1的规定；d)量块或精密棒，与待测硅片厚度相同，可确定设...