减弱准则式清洗期限的抉择制造技术量、晶圆数量、以及工艺处理时间之间的关系需要正确表示，以计算最后一个反应室装载之后、以及第一个反应室卸载之前的等待时间。计算单晶圆、批次式喷雾、和批次式浸没的“连续”操作处理量，必需作不同的考虑。对批次式喷雾情况，晶圆是在单个反应室内处理的，而在批次式浸没情况下，晶圆将在2到7个地点处理。单晶圆系统本工作研究了旋转晶圆同时分配化学品的单晶圆系统。用于单晶圆系统周期和处理量计算的主要参数包括反应室数量、晶圆数量、初始准备时间、晶圆传递时间和工艺处理时间。是在一个4反应室单晶圆清洗系统中处理7个晶圆的时间示意在这些计算中，假设工艺处理时间始终足够大，这样在最后一个反应室装载之后及第一个反应室卸载之前至少有一些等待时间。还假设进行多次化学处理步骤的每个反应室是一样的，即每个晶圆仅在一个反应室内进行处理。在连续操作情况下计算单晶圆系统的处理量时，假设装载口足够多，这样晶圆始终可以进行传递，初始准备时间也将包含在处理时间内。为了正确表达处理量，在n＝kc情况下进行计算，其中k为整数。因此，单晶圆系统的处理量由下式给出kc／［（k－1）（2t＋p）＋ct＋p＋t］。当k→∞得到最大的处理量，为c／（2t＋p）批次式喷雾系统在批次式喷雾系统中成批装载晶圆，然后传递到处理反应室。在批次式喷雾系统中使用单个反应室进行多次化学处理。用于批次式喷雾系统周期时间和处理量计算的主要参数包括晶圆数量、初始准备时间、晶圆传递时间和处理时间。另外，也包括批次装载和卸载时间。在批次式喷雾系统中处理n个晶圆的周期时间由下式给出i＋nt＋b＋p＋b＋nt其中b为批次装载时间，其它符号与单晶圆系统中的相同；但是，对批次式喷雾系统这些参数的值可能是不同的。此处考虑的批次式喷雾系统每批次式可处理50个晶圆。在连续操作情况下计算批次式喷雾系统的处理量时，假设装载口足够多，这样晶圆始终可以进行传递，处理时间足够长，因而在前一工艺完成之前批次装载（nt）过程就可以完成。因此，批次式喷雾系统的处理量由下式给出50／（2b＋p）批次式浸没系统在批次式浸没系统中成批装载晶圆，然后传递到一系列的处理地点。用于批次式浸没系统周期时间和处理量计算的主要参数包括晶圆数量、初始准备时间、晶圆传递时间和批次装载时间。每个地点所需的处理时间可能不同。另外，槽式浸没系统包括一个FOUP缓冲区，因此还应包括FOUP装载时在一个4反应室单晶圆清洗系统中处理7个晶圆的时间示意图图。处理n个晶圆的周期由下式给出i＋f（2t＋p）＋rt＋（p＋t），如果n＜＝c则f＝0及r＝n如果n＞c，则f＝整数（n／c）及r＝余数（n／c）如果n＝c的整数倍，则f＝整数（n／c）－1及r＝c其中，i＝初始准备时间t＝晶圆传递时间p＝处理时间f＝“满反应室”循环次数r＝“满反应室”循环完成后剩余的晶圆数量n＝处理的晶圆数量c＝系统中单晶圆反应室数量在批次式浸没系统中处理n个晶圆的周期时间由下式给出F＋i＋nt＋b＋p1＋p2＋。。。＋pj＋b＋nt＋F其中F为FOUP装载时间，pj是在第j个地点的处理时间，其它符号与前面的相同；但是，对批次式浸没系统这些参数的值可能是不同的。此处考虑的批次式浸没系统每批次式可处理50个晶圆。批次式浸没系统的连续性质会影响处理量的计算。在前一批晶圆未从某地点移走之前，其它批次的晶圆不能移到下一个处理地点。因此，处理时间最长的地点将决定总的处理量。有时将此称之为TACT时间。假设装载口足够多，这样成批的晶圆始终可以进行传递，TACT时间足够长，使批次装载（nt）过程完成。因此，批次式浸没系统的处理量由下式给出50／（pmax）其中pmax为过程中最长的处理时间。前道的关键清洗分析的第一个清洗工艺是前道中的关键清洗工艺。典型情况下，这个工艺是在热处理及栅介质生长或淀积之前进行，其目的是去除微粒、有机物、金属和原生氧化物玷污。关键清洗在单晶圆系统中已经得到了证实，但是在制造中还没有得到广泛应用。这是因为用于传统批次式浸没系统中的关键清洗的化学处理步骤与单晶圆系统要求的较短的处理时间不易适应。作为比较，我们采用了Funabashi等人发表的2.5分钟单晶圆...