ICS77.120.99H66中华人民共和国国家标准GB/T××××—××××锗单晶和锗单晶片MonocrystallinegermaniumandMonocrystallinegermaniumslices（送审稿）××××-××-××发布××××-××-××实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布中国国家标准化管理委员会前言本标准是对GB/T5238-1995《锗单晶》和GB/T15713-1995《锗单晶片》的整合及修订。本标准与GB/T5238-1995、GB/T15713-1995相比，主要有如下变动：——扩大了锗单晶和锗单晶片的用途。——删掉了锗单晶按电阻率允许偏差分成的三个等级和锗单晶片中的大圆片及小圆片。——标准格式按GB/T1.1-2000《标准化工作导则》的要求进行了切合实际的修改、补充和完善。本标准自实施之日起，代替GB/T5238-1995和GB/T15713-1995。本标准由中国有色金属工业协会提出。本标准由全国有色金属标准化技术委员会负责归口。本标准由南京锗厂有限责任公司负责起草。本标准主要起草人：张莉萍、吴玉麟本标准由全国有色金属标准化技术委员会负责解释。锗单晶和锗单晶片1范围本标准规定了锗单晶和锗单晶片的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、订货单（或合同）。本标准适用于制作半导体器件、激光、外延衬底等用的锗单晶和锗单晶片。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1552硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰退法GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划GB/T5252锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法GB/T5254锗单晶晶向X光衍射测定方法3要求3.1产品分类锗单晶和锗单晶片按导电类型分为n型和p型。3.2牌号3.2.1锗单晶和锗单晶片的牌号表示为□-Ge－□（）-〈〉43211－表示锗单晶和锗单晶片的生产方法；CZ表示直拉法,HB表示水平法。2－Ge表示锗单晶和锗单晶片。3－用n或p表示导电类型，括号内的元素符号表示掺杂剂。4－用密勒指数表示晶向。3.2.2示例a.CZ-Ge-n(Sb)-〈111〉表示晶向为〈111〉n型掺锑直拉锗单晶和锗单晶片。b.CZ-Ge-p(Ga)-〈111〉表示晶向为〈111〉p型掺镓直拉锗单晶和锗单晶片。3.３物理及几何参数３．3.1物理参数３.3.1.1锗单晶和锗单晶片的电阻率参数应符合表1的规定.表1导电类型掺杂剂电阻率范围Ω•cm断面电阻率不均匀度，%不大于pGa0.001～4510In0.001～45Au+Ga(In)0.5～5nSb0.001～45３.3.1.2锗单晶和锗单晶片的少数载流子寿命应符合表2的规定.表2电阻率范围，Ω•cm少数载流子寿命，µs，不小于n型p型＜0.8--≥0.8～2.510080＞2.5～4.0150120＞4.0～8.0220200＞8.0～16.0350300＞16.0～45600500３.3.1.3锗单晶和锗单晶片的晶向<111>、<100>。偏离应不大于2˚。３.3.1.4锗单晶和锗单晶片的晶体完整性３.3.1.4.1锗单晶和锗单晶片的位错密度范围分成四类：＜1000、1000～3000、2000～4000和3000～5000cm-2。３.3.1.4.2锗单晶和锗单晶片不得有位错堆、星形结构、裂纹和气孔,小角晶界和位错排每根的长度不得大于3mm,总长度不得超过单晶直径的六分之一。3.3.2几何参数3.3.2.1锗单晶的规格应符合表3的规定表3导电类型掺杂剂直径,mm直径允许偏差，%，不大于长度，mmpGa10～1001040～200In10～100Au+Ga(In)10～100nSb10～100注：直径允许偏差指同一单晶段的最大直径和最小直径之差与平均直径的比值的百分数。3.3.2.2锗单晶片的规格应符合表4的规定表4项目锗片几何参数，mm方片腐蚀片直径边长0.90×0.900.85×0.851.00×1.000.90×0.902.00×2.000.95×0.952.25×2.25边长允许偏差±0.05±0.05厚度0.24～0.300.13～0.17厚度允许偏差±0.01±0.013.3.3锗单晶片的表面质量3.3.3.1锗单晶方片不得有长度大于边长七分之一的崩边。边长不大于2mm的锗片，崩边宽度不得超过边长的十分之一；边长大于2mm的锗片，崩边宽度不得超过边长的...