本科毕业论文（设计）题目：IGBT的仿真设计学院：理学院专业：电子科学与技术班级：2007级1班学号：070712110075学生姓名：孙阔指导教师：傅兴华---本文来源于网络，仅供参考，勿照抄，如有侵权请联系删除---2011年6月1日贵州大学本科毕业论文（设计）诚信责任书本人郑重声明：本人所呈交的毕业论文（设计），是在导师的指导下独立进行研究所完成。毕业论文（设计）中凡引用他人已经发表或未发表的成果、数据、观点等，均已明确注明出处。特此声明。论文（设计）作者签名：日期：---本文来源于网络，仅供参考，勿照抄，如有侵权请联系删除---目录摘要绝缘栅双极型晶体管（IGBT)是具有高的输入阻抗、较低的通态压降，能够处理较大的电流的功率半导体器件。本文首先介绍了IGBT的发展、IGBT的结构、工作特性和主要参数等。并且对IGBT的参数进行了分析,初步估计出IGBT的参数。先使用Athena软件进行工艺仿真出器件的结构，然后用atlas软件进行器件仿真，验证设计，最终实现电流为100A电压为1000V的IGBT。论文还用TANNER软件画出IGBT的原胞版图。关键词：绝缘栅双极型晶体管功率半导体器件电力电子---本文来源于网络，仅供参考，勿照抄，如有侵权请联系删除---AbstractInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isakindofpower-electronicsdeviceswithhighinput-resistance,lowon-statevoltagedropandhighcurrent-capacity.ThedevelopmentandtheoperationcharacteristicsofIGBT,andthebasicstructureofthedevicewereintroducedinthispaper.AunitcellofpowerIGBTwasdefinedinAthenainSilvacoplatform.ThentheelectricpropertiesofthedeviceweresimulatedinAtlas.Themaximumcurrentofthedesigneddeviceis100A,andthebreakdownvoltageis1000V.Finally,alayoutoftheunitcelloftheIGBTwasproposed.Keywords：IGBTPowersemiconductordevicesPowerElectronics---本文来源于网络，仅供参考，勿照抄，如有侵权请联系删除------本文来源于网络，仅供参考，勿照抄，如有侵权请联系删除---第一章绪论1.1功率半导体器件的发展[1]随着电力电子技术的发展，人们的生活是越来越方便了，电力电子技术推动了人们的生活和生产。而在电力电子技术里面，功率半导体器件起着核心的作用，它对电力电子电路里面控制了能量的转换。而微电子技术的但来，更为功率半导体器件如虎添翼了，再者人们生产生活的需要，电力电子技术的发展要求功率半导体器件向着大功率、高温、高压等方向发展。1957年，美国通用电气（GE）公司研制了第一只工业用普通晶闸管，标志着电力电子技术的诞生。直到今天，功率半导体已经发生了很大的变化。功率半导体器件大致可以分为四个阶段：第一阶段，以整流管、晶闸管为代表，在低频、大功率场合占优势，后来完全取代汞弧整流器。第二阶段，以可关断晶闸管（GTO）、巨型晶体管（GTR）等全控型器件为代表，虽然仍为电流控制模式，但在高频化的路上迈了一步。第三阶段，以功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等电压全控器件为代表，它们可以直接用集成电路驱动，高频特性较好，此阶段器件制造技术进入了和微电子技术相结合的阶段。第四阶段，以智能化功率集成电路（SSPIC）、高压功率集成电路（HVIC）等功率集成电路为代表，使电力电子技术与微电子技术更紧密的结合在一起，出现了将全控型电力电子器件与驱动电路、保护电路、逻辑电路、等集成在一起的高智能化的功率集成电路电路。它实现了器件与电路、强电与弱电、功率流与信息流的集成，成为机电一体化的基础单元。这一阶段还处在不断发展中。从以上的四个阶段，我们可以看出，第一个阶段和第二个阶段的器件的原理没有发生变化，都是电流控制型的器件，电流控制型的器件有个特点：器件消耗的功率很大，而提供给外电路的功率相对较小；但是第二个阶段比第一个---本文来源于网络，仅供参考，勿照抄，如有侵权请联系删除---阶段有了一定的发展，它的适用的频率特高了。到达第三个阶段的时候，器件的工作原理改变了，使用的是电压控制型的器件MOSFET,MOSFE...