维普资讯http://www.cqvip.com毛荫秋等；自然光照条件下硅光电池组件伏安特性３３衰６多晶硅光电池组件在两种光照条件下的性能比较（在相同辐射１Ｉ时）项目Ｌ８Ｊ８Ａ３１４平均１０平均０９６平均０９．５国产４３型０８７平均０９．３平均０７８Ｖｏ（）／ｃ（ｃｆＶｏＬ）Ｖｏ（）／ｏ（ｐｆＶｃＬ）Ｉｃ（）／ｓ（ｓｆＩｃＬ）ｌｐ（）／ｏ（ｏｆｌｐＬ）平均０９．８平均０９４Ｗｐ（）／ｐ（）ｆＷＬ平————均０９．４平均０８．７表中：（）自然光照；（）模拟光源Ｌ四、讨论与结论通过对有代表性的硅光电池组件在两种不同光照条件下的伏安特性曲线测试结果的分析比较，可以看出；Ｉ晶体硅光电池组件在自然光照条件下的伏安特性与模拟光照条件下的伏安特性有类拟的变．化趋势。光电池组件在一十相当大的辐射强度变化范围内（试验从２ｍｗ／ｍ化到ｌＯ硅本０ｃ变Ｏｍｗ／ｃ）ｍ，其短路电流与输出功率随辐射强度呈线性关系变“”化。这样，就证明了利用当量的峰值照射时数米简化光电系统的设计的可行性。２在自然光照条件卜．各种厂牌型号的硅光电池组件的光电转换效率和峰值功率都比模拟光照条件下测得值有不同程度的下降。从小安验测得的结果来看，多晶硅组件的下降趋势要比单晶硅略小。而同产组件的下降比进口组件的『略大因此在根据传统方法用模拟光下给出的峰瓦值降来确定光｝统容量时，必要考虑１１１２系有．０．０的修正系数，保证光电发电系统在自然光照的以实际运行条件下有足够的输出３．¨部地卜在推广使用“”光电系统时发现了普遍的光电池组件峰瓦值的斤少两现象．引（缺起ｒＨｆｊ‘广者之间的矛盾。这个困惑了很久的问题实际也与自然光照条件下与模拟光照Ｉ推些条件１输不有关。们的试验只是第一步，电可能由于季节和地点的局限．论不尽完美，我结竭诚希望Ｉ行在推广光电系统时加强数据监测，共同积累数据．以便改进设计。～ｉ参考文献陈庭金等．太阳电？电系统设计新方法。太阳能学报，８（）６２９１８电发３．２３７，６９魈福鑫等．太阳电池及其应用．国防工业出板社，１８。５９ｌ・●Ｉ＿Ｅ成，光伏电源系统的计算机辅助设计．太阳能学报，７（）５２３１８斯３，２ｌ６．９６州恩科，光电池及其应用一科学出版社．１８。９９美国西南技术开发研究所（ＷＴ）光电项目和Ｄｙｔｒ公司负责』ＶＲｓｅ博士在兰州的讲学ＳＤ１ａｓａ、ｉｓｒ与讨论．１９９０年ｌ０——月［６］￥ｎｉＮａｉｎｌａｓａｄａｔａＬｂＳａｄＡｌｎｈｔｖｈｉＳｓｅ．ＳＮＤ８７２，ｐｉｔｄＡｒｌ９８ｏｔｎｏｅＰｏｏｏａｃｙｔｍｓＡ７０３ｒｅｐｉ１８ｎｌ８６９［７］Ｒ】Ｖｎｏｅｓｒ“ｅ１ｃ，ＰｙｉｅｈｏｏｙａｄＵｓｆｈｔｖｈｌ．ＡｄｍＨｕｌｅｔ．ａｒ１ｔ］ａｈｓｃＴｃｎｌｇｎｅｏ￣ｏｏａｃｓＰｓａｌｒＬｄｇ维普资讯http://www.cqvip.com甘肃科学学报１９９３年第２期ＴＨＥＥＬ—ＥＣＴＲＩＣＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＴＩＦＳＣＳＯＣＲＹＳＴＡＬＳＬＩＩＣＯＮＰＨＯＴＯＶＯＬＴＡＩＭＯＤＵＬＥＳＣＵＮＤＥＲＩＤＦＦＥＲＥＮＴＧＨＴＳＬＩＭａｎｉ．Ｊａｉｎｎ．ＷａｇＡｎｕｎｕＷｅｚｏｇｏＹｉｑｕｉｎｇＪａｍｉｎｈａａｄＬｉｈｎ（ｎｕＮ￣ｕｄＧａｓｒＥｎｅｇｓａｃｎｔｕｅｒｙＲｅｅｒｈＩｓｉｔ．ＬｎｈｔａｚｏｕＧａｓｏ．７００ｎｕＰｒｖ３００Ｐ．Ｒ．Ｃ・・・——ｈｎａｉ）ＡＢＳＲＡＣＴＴＴｈｅＩＶｒｅｆｔｐｉａｉｌ—．ｐｙ－ｃｙｔｌｓｌｏｎｓｌｒｍｏｌｎｄｒｔｔｒｌＣｕｖｓｏ—ｙｃｌｓｎｇｅｏｌ－ｒｓａｉｉｏａｃｄｕｅｓｕｅｈｅｎａｕａ——ｓｕｎｌｔａｅｍｅｓｅｅｎｓｏｆＤＳ一１５ＯｕｄｒＩＶｕｒ—ｒｃｒＴｈｅｕｌｓａｅｐｒｉｒｇｈａｕｒｄｂｙｍａ２ｔｏｏｃｖｅｔａｅ．ｅｒｓｔｒｅｓｎｔｄｅｅｎｏｍｐｒｄｗｉｈｈｅｅｅｔｉａｈａａｔｒｓｉｓｏｆｅｅｂｈｍａｅｅｈｒａｄｃａｅｔｔｌｃｒｃｌｃｒｃｅｉｔｃｆｒｄｙｔｅｎｕｆｃｕｒｒ—ｍｅａｔｅｓａｓｅｒｍｏａｉｕｌｔｒｕｒｄｆｏｓｌｒｓｍａｏ．Ｔｈｅｕｓｓｏｔａｅａｓｆｄｆｅｅｔｔｓｉｇｌｈｓａｃｅ—ｆｉｎｆ１１一１２ｏ...