本文由wujinfeng05贡献pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。维普资讯wwcqvip《导体光电｝０７年１第２半２０Ｏ月８卷第５期李伯海：多晶硅沉积工艺中中间层对多晶硅质量的影响多晶硅沉积工艺中中间层对多晶硅质量的影响李伯海，福文，爱民，王艳艳，秦吴徐茵，顾彪（连理工大学三束材料改性国家重点实验室，辽宁大连１６２）大１０４摘要：采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积（Ｃ—ＥＶＤ）术，ＳｌＨｚＥＲＰｃ技以ｉ和为气源，３０℃的低温条件下，普通玻璃衬底上沉积了多晶硅薄膜。主要考察了中间层对多晶在５在硅薄膜沉积质量的影响。实验证明，中间层的沉积温度为３０℃，当５Ｈ流量为２ｃｍ时，到多０ｓｃ得晶硅薄膜晶粒的直径最大，５ｍ；随着中间层沉积温度的提高，为３ｎ且薄膜的结晶度提高。关键词：多晶硅薄膜；中间层；ＥＲＰＣＣ—ＥＶＤ：ＴＮ３４０４文献标识码：Ａ０．５：１０～５６（０７０—０８—００１８８２０）５６５５ＩｆｕｎｅｏｎｅｆｃｙｒｏｌｃｖｔｌｉｅＳｌｃｎＴｈｎＦｉｍｎｌｅｃｆＩｔｒａｅＬａｅｎＰＯｖｒｓａｌｎｉｉｏｉｌＬＩＢｏｈｉ—ａ，ＱＩＦｕｗｅ，ＷＵ－ｎ，ＷＡＮＧｎｙｎＮ－ｎＡｉｍｉＹａ—ａ，ＸＵｎ，ＧＵｉｏＹｉＢａ（ｔｔｙＬａ．ｏｔｒａＭｏｉｃｔｎｂａｅ，ＩｎａｄＥｌｔｏｅｍｓＳａｅＫｅｂｆＭａｅｌｄｆａｉｙＬｓｒｏｎｅｒｎＢａ，ＤａｉｎｖｒｉｆＴｃｎｌｇｉｉｏｃｌＵｉｅｓｔｏｅｈｏｏｙ，Ｄａｉ１０４ＨＮ）ｎａｙｌ１６２，ＣｎａＡｂｔａｔｓｒｃ：Ｐｏｙｃｙｓａｌｎｓｌｃｎｉｍｓ１ｒｔｌｉｅｉｉｏｆｌｗｅｅｅｏｓｔｄｒｄｐｉｅｏｎｌｓｓｂｓｒｔｓｔｇａｓｕｔａｅａ３５℃０ｂｙｅｅｔｏｙｌｔｏｅｏａｃｌｓａｅｈｎｅｈｍｉａａｏｅｏｉｏ（ｌｃｒｎｃｃｏｒｎｒｓｎｎｅｐａｍｎａｃｄｃｅｃｌｖｐｒｄｐｓｔｎＥＣＲ—ｉＰＥＣＶＤ）ｆｏａｒｍＳｉｎｄＨ２ｍｉｔｅＴｈｆｅｔｏｎｅｆｃａｅｎｔｐｏｉｉｆｐｙｒｔ１ｉｉｉｏｎｆｌＨ４ａｘｕｒ．ｅｅｆｃｆｉｔｒａｅｌｙｒｏｈｅｄｅｓｔｏｎｏｏ１ｃｙｓａ１ｎｅｓｌｃｉｍｂｙＥＣＲ—ＰＥＣＶＤｓｓｕｄｅ．ＴｈｅｅｐｒｍｅｈｏｈｔｗｈｅｈｅｄｅｏｉｉｅｅａｕｅａｗａｔｉｄｘｅｉｎｔｓｗｓｔａｎｔｐｓｔｎｇｔｍｐｒｔｒｎｄＨ２ｆｏｗａｅｏｈｅｉｔｒａｅｌｙｒａｅ３０℃ａｄ２ｃｍ，ｔｏｙｃｙｓａ１ｎｅｓｌｏｒｓａａｎｌｒｔｆｔｎｅｆｃａｅｒ５ｎ０ｓｃｈｅｐ１ｒｔ１ｉｉｉｎｃｙｔｌｇｒｉｃｄａｔｒｒａｈ５ｍ，ａｔｈｅｉｒａｅｏｆｔｍｐｒｔｒｉｍｅｅｅｃ３ｎｎｄｗｉｈｔｎｃｅｓｅｅａｕｅ，ｔｒｓａｌｎｔｎｒａｅ．ｈｅｃｙｔｌｉｉｙｉｃｅｓｓＫｅｒ：ｐｏｙＳｉｆｌｓｎｅｆｃａｅ；ＥＣＲ—ｙｗｏｄｓｌ—ｉｍ；ｉｔｒａｅｌｙｒＰＥＣＶＤ１引言多晶硅薄膜在长波段具有高光敏性，可见光对能有效吸收，与非晶硅相比具有较高的转换率和且子溅射法等。在诸多方法中，由于ＰＣＥＶＤ具有实验参数控制简单、积温度低、面积均匀的特点，沉大越来越受到人们的重视。本文研究了ＥＲＰＣＣ－ＥＶＤ低温条件下（于５０℃）在玻璃衬底上沉积中间小０，层对多晶硅薄膜晶质的影响。迁移率，其光电效率不会随着光照时间的延续而衰减；与单晶硅相比，多晶硅可在廉价的衬底材料上大面积低温制备，有较低的制作成本，具因此被公认为是高效、耗的理想光伏器件材料，低目前已成为制备太阳电池的热点材料之一。此外，晶硅也是制作多２实验实验是在配有反射高能电子衍射（ＲＨＥＤ）Ｅ原位监测设备的ＥＲＰＣＣ—ＥＶＤ沉积装置上进行的。我们采用Ｓｌ和Ａｒｉ的混合气体（．ＶＶ．：一１：Ｈ１）为反应气体，康宁７０９作在１１普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜。采用Ａｒ气稀释的ＳＨ作为反应气ｉ体有助于控制ＳＨ量，且Ａｒ能增强微波放ｉ流并气传感器、薄膜晶体管（Ｔ）器件的新型半导体替ＴＦ等代材料Ⅲ。当前生产多晶硅的方法主要有化学气相沉积法（Ｖ、离子体增强化学气相沉积法（ＥＶＤ）ＣＤ）等ＰＣ、液相外延法（Ｐ）激光晶化法、ＬＥ、固相晶化法和等离收...