［分享］LED辞典（专业术语）SMDLEDsurface-mountdeviceLED。表面粘着型LED。表面粘着型LED的出现是在1980年初，是因应更小型封装和工厂自动化而生。初期厂商裹足不前，主要因索是表面粘着LED最早面临的问题是无法完成高温红外线下焊锡冋流的步骤。LED的比热较IC低，温度升高时不仅会造成亮度下隆，且超过摄氏100度时将加速组件的劣化。LED封装时使用的树脂会吸收水分，这些水分子急速汽化时，会使原封装树脂产生裂缝，影响产品效益。在1990年初，HP和SiemensComponentGroup合作开发长分子键聚合物，作为表面粘着型LED配合取放机器的设计，表面粘着型LED到此才算正式登场。LEDLightEmittingDiode。发光二极管。LED为通电时可发光的电了组件，是半导体材料制成的发光组件，材料使用III-V族化学兀素（如：磷化镣（GaP）、神化傢（GaAs）等），发光原理是将电能转换为光，也就是对化合物半导体施加电流，透过电子与电洞的结合，过剩的能量会以光的形式释出，达成发光的效果，属于冷性发光，寿命长达十丿j小时以上。LED最大的特点在于:无须暖灯时间（idlingtime）、反应速度很快（约在10人・9秒）、体积小、用电省、污染低、适合戢产，具高可靠度，容易配合应用上的需要制成极小或数纽式的纽件,适用范用颇广，如汽车、通讯产业、计算机、交通号志、显示器等。LED又可以分成上、中、下游。从上游到下游，产品在外观上差距相当大。上游是山磊芯片形成，这种磊芯片长相大概是一个直径六到八公分宽的圆形，厚度相当薄，就像是…个平面金属一样。LED发光颜色与亮度山磊晶材料决定，且磊晶占LED制造成本70%庄右，对LED产业极为重要。上游磊晶制程顺序为：单芯片（lll・V族基板）、结构设计、结晶成长、材料特性/厚度测杲。中游厂商就是将这些芯片加以切割，形成为上力个晶粒。依照芯片的人小，町以切割为二丿j到四丿j个晶粒。这些晶粒长得像沙滩上的沙子一-样，通常用特殊胶带固定之后，再送到下游厂商作封装处理。中游晶粒制程顺序为：磊芯片、金属膜蒸镀、光罩、蚀刻、热处理、切割、朋裂、测戢。而，下游封装顺序为：晶粒、固晶、粘着、打线、树脂封装、长烤、镀锡、剪脚、测试。国内主要的LED生产厂商有：鼎元、光磊、国联、亿光等企业。红外线发光二极管红外线LightEmittingDiode<>主要以GaAs系列材料发展为主,通常以LPE液相磊晶法的方法制作，发光波长从850-940不等。GaP磷化镣。磷化隊^IIT-V族（三五族）兀索化合的化合物。GaP是一种间接迁移黑半导体，具有低电流、高效率的发光特性，可发光范围函盖红色至黄绿色，为LED主要使用材料之一。GaN氮化傢。氮化隊^IIT-V族兀索化合的化合物。GaN使MOVPE制作技术，可制作高亮度纯蓝光LED及纯绿光LED.更可应用于蓝光、绿光雷射二极管之制作。MOVPE虽已是一成熟的磊晶制作技术，但以此技术制作GaN蓝光LED其中仍须相当的专业知洪、经验和技巧AllnGaP磷化铝钢稼。AllnGaP此材料是近年來用在高亮度LEDZ制造上较新的材料，使用MOVPE磊晶法制程。H前世界上仅有三家厂商供应此产品的公司，即美国HP、日木Toshiba.台湾国联光电。AIGaAs砂化铝稼。为GaAs和AlAs的混晶。AIGaAs适合于制造高亮度红光及红外线LED,主要以LPE磊晶法最产，但因需制作AIGaAs基板，技术难度高。反向粘若型薄芯片LEDreversemountingtype薄芯片LED。此种芯片可粘右在穿式印刷电路板上，减少LED所占的厚度。主要可用作可携式电话按键Z背光源。侧面发光直角LED此种LED芯片是从瑕上层面发光，但可将发光面旋转一个面焊接。侧面发光宜角LED有超小型和高亮度两种，超小型是用于LCD背光源、呼叫器、行动电话；高亮度型是用作汽、机车第三剎车灯和户外显示器。•育角表面粘着型LED灯泡SIDELEDo宜角表面粘着型LED灯泡不需额外的光学件或反射器，焊接后光线的行径路线可与各电路板平行，使工程人员在设计时有较大的弹性，因而可在设计的后段再加上此产品，而不需爭先考虑。产品可应用在自动安全断电开关、背光源和光导管等，用作电话和数据处理系统的指示灯。可见光LED可见光LightEmittingDiodeoLED（发光二极管）的种类繁多，依发光波长大致分为可见光与不可见光两类。可见光LED产品主要包...