我国LED产业自主创新困境成因及解决路径探析我国LED产业自主创新困境成因及解决路径探析文章编号：1001-148X(2014)04-0136-06摘耍:从我国LED产业的发展现状入手，本文厘清了制约LED产业自主创新的主耍因素，分析了其自主创新存在的困境，并在此基础上阐明了各耍素间相互作用关系；利用解释结构模型技术，推演建立系统多级递阶结构模型，剖析我国LED产业自主创新困境的形成过程与机理，并提出了我国LED产业自主创新能力提升的对策与建议。关键词:LED产业；自主创新困境；影响因素；解释结构模型中图分类号：F276❷44文献标识码：A❷❷收稿U期：2013-10-24作者简介：方金城(1977-),男，福建福清人，福建工程学院交通运输系副教授，管理学博士，研究方向：技术创新与管理、系统工程与管理；朱斌(1957-),女，江苏靖江人，福州大学创新与发展研究中心研究员，博士生导师,研究方向:技术创新与技术转移；张岐山(1962—),男，黑龙江绥化人，福州大学管理学院教授，博士生导师，管理学博士，研究方向：系统工程、企业资源规划、企业信息化和灰色系统。基金项目：福建省社会科学规划青年项目，项目编号：2011C001；福建省教育厅科技项目,项目编号:JA11192；福建工程学院科研发展青年基金项目，项目编号：GY-S10051oLED产业是我国战略性新兴产业的重耍产业，是新材料产业的皇冠❷❷［1］❷。2003年以来，在“国家半导体照明工程”、“十城万盏”等一系列利好政策的推动下，我国相继形成了上海、大连、南昌、厦门、深圳、扬州和石家庄等国家半导体照明工程产业化基地，长三角、珠三角、闽三角以及北方地区，成为我国IFD产业发展的聚集地。2009年11月中央政府将光电子产业纳入我国战略性新兴产业，国内越来越多的地区把LED产业列为发展重点，LED产业在我国各地呈现出蓬勃发展的势头o2012年我国LED产业产值达到2059亿元，同比增长33❷7%。未来两至三年，我国LED产业产值将继续保持30%左右的年增长幅度,预计到2015年我国LED产业年产值将达到令4500❷亿元❷令［2-3］❷。❷随着LED产业的快速发展，近年来我国LED技术明显提高，与国际先进水平的差距逐步缩小，我国LED产业已初步形成了从上游衬底、外延，到中游芯片，再到下游封装、应用产品在内较为完整的产业链。在衬底领域，我国已掌握了具有自主知识产权的硅衬底制备技术，打破了一直以来由FI本Nichia公司垄断蓝宝石衬底和美国Cree公司垄断碳化硅衬底技术的局而，形成了蓝宝石、碳化硅、硅衬底技术三足鼎立的局面。在外延片领域，我国自主研发的硅衬底GaN基外延生长技术也FI趋成熟。在芯片和封装领域，国产功率型照明级LED芯片技术及其封装工艺，在光效、寿命以及可靠性等性能方面都取得较大进展，尤其在超高亮度口光LED上，国产技术已实现了对国外技术的赶超。此外，在LED技术集成应用上，国内LED产品领域已从较为成熟的指示显示、景观照明等领域，向普通照明、道路照明、大尺寸超薄背光源、汽车灯、3D显示屏等领域延伸❷❷［1］令。一、我国LED产业自主创新困境及其成因❷近年来，尽管我国LED产业发展态势良好，产业技术进步比较快，但就产业自主创新而言，我国LED产业总体状况不容乐观，主要表现为产业原创性技术缺乏、关键核心技术严重依赖进口、产业自主研发能力薄弱、产晶相互模仿抄袭成风、产业市场同质化竞争严重。❷截至2011年8月，我国登记注册的LED企业有❷4000❷多家，其中从事衬底、外延制备的上游企业不到10家，而中游芯片企业也仅有40余家。由于自主创新不足、核心技术与自主知识产权缺乏，我国95%以上的LED企业位于产业链的下游，以封装和各种LED应用产品制造为主，从事产业微笑曲线低附加值的中下游环节生产经营❷❷［4］❷。统计数据显示2011年我国LED外延芯片、封装和应用的产值比约为3:16:58,而衬底则主要依赖进口❷❷［1］❷，产业自主创新乏力已成为制约我国LED产业做大做强、持续发展的主要瓶颈。❷总第444期方金城：我国LED产业自主创新困境成因及解决路径探析&#8226:••&S8226;商业研究2014/04为了进一步厘清LED产业自主创新困境问题，课题组在福建省政府发展研究中心、泉州市科技局和厦门光电子行业协会的...