ICS29.045H82中华人民共和国国家标准GB/T××××—××××太阳能级多晶硅Solar-GradePolycrystallineSilicon（送审稿）××××-××-××发布××××-××-××实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布中国国家标准化管理委员会前言本标准是为适应我国光伏产业日益发展的需要，在修改采用SEMI16-1296《硅多晶规范》标准的基础上，结合我国多晶硅生产、试验、使用的实际情况而制定的。本标准的制定能满足市场及用户对太阳能级多晶硅的质量要求。本标准考虑了目前市场上的大部分用于太阳能光伏产业的多晶硅料，包括：棒状料、块状料、颗粒料、粉状料等，根据不同种类的多晶硅加工、生产太阳能电池其转换率情况，将太阳能级多晶硅纯度分为三级。与SEMI16-1296相比增加了基体金属杂质内容。本标准的术语与相关标准协调一致。本标准由中国有色金属工业协会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位：洛阳中硅高科技有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、中国电子材料行业协会、西安隆基硅材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限公司。本标准主要起草人：杨玉安、袁金满、孙世龙、汪义川、鲁瑾、曹禺、梁洪。太阳能级多晶硅1范围本标准规定了太阳能级多晶硅的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、运输及贮存。本标准适用于使用（改良）西门子法和硅烷等方法，生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅。产品主要用于太阳能级单晶硅棒和多晶硅锭的生产。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1551硅、锗单晶电阻率测试直流两探针法GB/T1552硅、锗单晶电阻率测试直排四探针法GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T4059硅多晶气氛区熔磷检验法GB/T4060硅多晶真空区熔基硼检验法GB/T4061硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法GB/T14264半导体材料术语SEMIMF1389光致荧光光谱测单晶硅中Ⅲ-Ⅴ族杂质SEMIMF1535用微波反射光电导衰减法非接触测量硅片载流子复合寿命的测试方法SEMIMF1630低温傅立叶变换红外光谱法测量单晶硅中Ⅲ-Ⅴ族杂质SEMIMF1723利用区熔生长和光谱法评价多晶硅产品规范SEMIMF1724利用酸提取原子吸收光谱法测量多晶硅表面金属沾污的测试方法3要求3.1分类产品按外型分为棒状、块状和颗粒状，根据等级的差别分为三级。3.2牌号多晶硅牌号表示为：SGPSi—□—□阿拉伯数字表示多晶硅等级字母I表示棒状，N表示块状、G表示粒状表示太阳能级多晶硅4技术要求4.1等级太阳能级多晶硅的等级及相关技术要求应符合表1的规定。表1项目（一）太阳能级多晶硅等级指标（一）1级品2级品3级品基磷电阻率，Ω·cm≥100≥40≥20基硼电阻率，Ω·cm≥500≥200≥100少数载流子寿命，μs≥100≥50≥30氧浓度，atoms/cm3≤1.0×1017≤1.0×1017≤1.5×1017碳浓度，atoms/cm3≤2.5×1016≤4.0×1016≤4.5×1016项目（二）太阳能级多晶硅等级指标（二）1级品2级品3级品施主杂质浓度ppba≤1.5≤5.4≤50.4受主杂质浓度ppba≤0.5≤2.7≤27基体金属杂质，ppmwFe、Cr、Ni、Cu、ZnTMI(Totalmetalimpurities)总金属杂质含量：≤0.05Fe、Cr、Ni、Cu、ZnTMI(Totalmetalimpurities)总金属杂质含量：≤0.1Fe、Cr、Ni、Cu、ZnTMI(Totalmetalimpurities)总金属杂质含量：≤0.2注：1，基体金属杂质检测可采用二次离子质谱、等离子体质谱和中子活化分析，由供需双方协商解决。2，每个等级的产品应该同时满足本等级的要求，若某项超出指标，则降为下一级。3,3级品主要应用于多晶硅锭的生产。4.2尺寸范围4.2.1破碎的块状多晶硅具有无规则的形状和随机尺寸分布，其线性尺寸最小为3mm，最大为200mm。4.2.3块状多晶硅的尺寸分布范围为：...