IGBT驱动的欠压保护电路及过流保护电路IGBT驱动的欠压保护电路及过流保护电路作者：海飞乐技术时间：2022-06-1914:321.欠压保护电路一般情况下，IGBT栅极电压VGE需要+15V才能使IGBT进入深饱和。如果VGE低于10V时，IGBT将工作在线性区，并且很快因过热而被烧坏。lGBT驱动要求电源电压为正电压不低于10V，负电压不低于-12V，一般欠压保护常用稳压管检测电源电压以保护IGBT。欠压保护电路如图1所示，采用两只稳压值分别为12V和10V的稳压管Z1和Z2。图1欠压保护电路当正负电压均不欠压时，三极管Q6进入饱和导通，比较器LM193反向端电压被拉低，比较器正向电压由电阻分压得到，为5V左山。所以比较器输出高电平，无欠压故障信号。当正电压欠压时(低于10V)，10V稳压管Z2不能被击穿，使得Q6截止，比较器反向端电压升高，比较器输出低电平故障信号。当负电压欠压时(低于-12V)，12V稳压管Z1阴极大于0，,使得Q6基极电压被拉低而截止，比较器也会输出电平故障信号。2.过流保护电路通过对流保护检测及措施的研究，驱动电路采用如下过流保护电路：(1)采用饱和压降VCC(sat)检测法，来检测过流和短路情况，并且过流阈值可调，检测过流范围IGBT额定集电极电流1.2倍到10倍；(2)过流保护采用软关断的---本文来源于网络，仅供参考，勿照抄，如有侵权请联系删除---方法。即检测到过流发生时，立即缓慢降低栅极电压，限制集电极电流继续上升，并软关断lGBT，经过固定延时后，再硬关断IGBT(此时软关断电路退出，保证故障情况下可靠关断IGBT)。IGBT驱动的欠压保护电路及过流保护电路作者：海飞乐技术时间：2022-06-1914:321.欠压保护电路一般情况下，IGBT栅极电压VGE需要+15V才能使IGBT进入深饱和。如果VGE低于10V时，IGBT将工作在线性区，并且很快因过热而被烧坏。lGBT驱动要求电源电压为正电压不低于10V，负电压不低于-12V，一般欠压保护常用稳压管检测电源电压以保护IGBT。欠压保护电路如图1所示，采用两只稳压值分别为12V和10V的稳压管Z1和Z2。图1欠压保护电路当正负电压均不欠压时，三极管Q6进入饱和导通，比较器LM193反向端电压被拉低，比较器正向电压由电阻分压得到，为5V左山。所以比较器输出高电平，无欠压故障信号。当正电压欠压时(低于10V)，10V稳压管Z2不能被击穿，使得Q6截止，比较器反向端电压升高，比较器输出低电平故障信号。当负电压欠压时(低于-12V)，12V稳压管Z1阴极大于0，,使得Q6基极电压被拉低而截止，比较器也会输出电平故障信号。2.过流保护电路通过对流保护检测及措施的研究，驱动电路采用如下过流保护电路：(1)采用饱和压降VCC(sat)检测法，来检测过流和短路情况，并且过流阈值可调，检测过流范围IGBT额定集电极电流1.2倍到10倍；(2)过流保护采用软关断的方法。即检测到过流发生时，立即缓慢降低栅极电压，限制集电极电流继续上升，并软关断lGBT，经过固定延时---本文来源于网络，仅供参考，勿照抄，如有侵权请联系删除---后，再硬关断IGBT(此时软关断电路退出，保证故障情况下可靠关断IGBT)。---本文来源于网络，仅供参考，勿照抄，如有侵权请联系删除---