IGBT模块测量与判断本文只是论述由单只IGBT管子或双管做成的逆变模块，及其有关测量和判断好坏的方法。IPM模块不在本文讨论内容之内。IGBT的等效电路及符号如下图：常用IGBT单、双管模块（CM200Y-24NF）的引脚功能图如下：FP24R12KE3集成式模块的引脚功能图：在拆机前，可对模块的好坏进行大致的测量，来进行初步的判断。以上图为例：4、5、6端子即为变频器的U、V、W输出端，22、24分别为变频器内部直流主电路的P（+）端和N（-）端。找到这5个端子后，用数字或指针式万用表都可以测量了。U、V、W三端子都对P、N端子有正、反向电阻。在IGBT管子正常的情况下，管子C、E之间电阻是无穷大的。只能测出管子上并联的6只二极管的正、反向电阻。如果把4、5、6端子看成三相交流输入端的话，六只二极管相当于一个三相整流桥电路，用测量和判断三相整流桥的方法就可以了。一、在线测量：1、测量这个“三相整流桥”不正常了，则为模块损坏了；2、测量这个“三相整流桥”是正常的，还不能确定模块就是好的。应打开变频器的主电路板，进行进一步的测量和验定。即测量触发端子及内电路是否正常。因触发端子上往往并联了10k（大功率机型并联3k）左右的电阻，所以触发端子的正反向在线电阻都应为所并联电阻的阻值。这6个触发端子的阻值都应是一样的。如某一路触发端子有了正反向电阻的差异，或是有电阻变小的现象，排除驱动电路的故障后，则是此模块已损坏了。3、触发端子的电阻测量也正常了，一般情况下认为模块基本上是好的。但此时宣布模块绝无问题，似乎尚为时过早。见后叙。二、脱机测量：1、此法常用于大功率单、双模块和新购进集成式模块的的测量。将单、双管模块脱开电路后（或为新购进的模块），可采用测量场效应管子（MOSFET）方法来测试了。MOSFET的栅阴极间有一个结电容的存在，故由此决定了极高的输入阻抗和电荷保持功能。可利用此一特点有效地检测IGBT管子的好坏。方法是：将指针式万用表打到x10k档，黑表接C极，红表笔接E极，此时所测量电阻值近乎无穷大；搭好表笔不动，用手指将C极与G极碰一下并拿开，指示由无穷大阻值降为200k左右；过几十秒钟甚至于更长一点的时间，再测一下C、E间电阻（仍是黑表笔接C极），仍能保护200k左右的电阻不变；搭好表笔不动，用手指短接一下G、E极，C、E极之间的电阻又重新变为接近无穷大。（当然，E极搭黑笔，C极搭红笔，是一只二极管的正向电阻的阻值了。如呈开路状态，说明IGBT管子也是坏的了。以下将此一测量过程略去。）实际上，用手指碰一下C、G，是给栅、阴结电容充电，拿开手指后，因此电容无放电回路，故电容上的电荷能保持一段时间。此电容上的充电电压，为正向激励电压，使IGBT管子出现微导通，C、E之间的电阻减小；第二次用手指短接G、E时，提供了电容的放电通路，随着电荷的泄放，IGBT的激励电压消失，管子变为截止，C、E之间的电阻又趋于无穷大。手指相当于一只阻值为kΩ级的电阻，提供栅阴极结电容充、放电的通路；因IGBT管子的导通需较高的正向激励电压（10V以上），所以用万表的x10k档，此档位内部电池供电为9V或12V，以满足IGBT管子激励电压的幅度。对触发端子的测量，还可以配合电容表测其容量，以增加判断的准确度。往往功率容量大的模块，两端子间的电容值也稍大。2、下面为双管模块CM100DU-24H和SKM75GB128DE，及集成式模块FP24R12KE3，用MF47C指针式万用表，×10k档测量得出的数据：CM200Y-24NF模块：主端子C1，C2E1E2触发端子C1E1C2E2；触发后为C、E电阻为250k；用电容表200nF档测量为36.7nF，反测（黑笔搭G端子，红笔搭E端子）为50nF。SKM75GB128DE主端子同上，触发后C、E电阻为250k；触发端子电容:正测4.1nF,反测12.3nF。FP24R12KE3集成模块,也可采用此法,触发后为C、E电阻为200k左右；触发端子电容正测6.9nF,反测10.1nF。