【法规名称】半导体制造业空气污染管制及排放标准【颁布部门】【颁布时间】2002-10-16【效力属性】已修正【正文】半导体制造业空气污染管制及排放标准第1条本标准依空气污染防制法第二十条第二项、第二十二条第二项及第二十三条第二项规定订定之。第2条本标准专有名词及符号定义如下：一半导体制造业：指从事积体电路晶圆制造、晶圆封装、磊晶、光罩制造、导线架制造等作业者。二积体电路晶圆制造作业(WaferFabrication):指将各种规格晶圆生产各种用途Z晶圆Z作业，包括经出物理气相沈积(PhysicalVaporDeposition)＞化学气相沈积(ChemicalVaporDeposition)、光阻、微影(Photolithography)、纟咳U(Etching)、扩散、离子植入(IonImplantation)、氧化与热处理等制程。三积体电路晶圆封装作业(WaferPackage):指将制造完成Z各种用途Z晶圆生产成为半导体产品Z作业，包括经由切割成片状的晶粒(Dice),再经焊接、电镀、有机溶剂清洗和酸洗等制程。四光阻剂：指实施积体电路晶圆制造之选择蚀刻时，所需耐酸性之感光剂。五光阻制程：指晶圆经过光组剂的涂布、曝光、显像，使晶圆上形成各类型电路的制程。六挥发性有机物(VolatileOrganicCompounds,VOCs):系指有机化合物成份Z总称。但不包括甲烷、一氧化碳、二氧化碳、碳酸、碳化物、碳酸盐、碳酸鞍等化合物。七密闭排气系统(ClosedVentSystem):系指可将设备或制程设备元件排岀或逸散出之空气污染物，捕集并输送至污染防制设备，使传送之气体不直接与大气接触之系统。该系统包括管线及连接装置。八污染防制设备：系指处理废气之热焚化炉、触媒焚化炉、锅炉或加热炉等密闭式焚化设施、冷凝器、吸附装置、吸收塔、废气燃烧塔、生物处理设施或其它经中央主管机关认定者。九工厂总排放量：系指同一厂场周界内所有排放管道排放某单一空气污染物之总和；单位为kg/hro一O污染防制设备削减量及排放削减率之计算公式如下：(_)污染防制设备削减量二E-EO；单位为kg/hro(二)排放削减率二(E-EO)/EX100%；单位为％。E：经密闭排气系统进入污染防制设备前之气状污染物质量流率，单位为kg/hroEo(排放量):经污染防制设备后迳排大气Z气状污染物质量流率，单位为kg/hro一一润湿因子：洗涤循环水量/(填充物比表面积X洗涤塔填充段水平截面积)，单位为m2/hro一二洗涤循环水量：湿式洗涤设备内部流过填充物之洗涤水体积流量，单位为m3/hro一三填充物比表面积：湿式洗涤设备之填充物单位体积内所能提供之气液接触面积，单位为m2/m3o一四洗涤塔填充段水平截面积：湿式洗涤设备内部装载填充物部份之水平横截面积，单位为m2o一五流量计：任何可直接或间接测得废气排放体积流量之设施。一六每季有效监测率：(每季污染源操作小时数一每季污染源操作期间连续自动监测器失效小时数）/每季污染源操作小时数。第3条本标准适用于半导体制造业。但原物料年用量小于下表所列者，该项物质不适用木标准之规定:1原物料1年用量11111挥发性有机物1一-七OO公斤/年1IrI三氯乙烯|六O公斤/年1111111硝酸11r1一七OO公斤/年111J11硫酸111|三OO公斤/年|11J11盐酸1111一七OO公斤/年111\11磷酸111一七OO公斤/年111111氢弑酸|一二OO公斤/轩1111第4条半导体制造业产生Z空气污染物应由密闭排气系统导入污染防制设备，并处理至符合下表规定后始得排放。I空气污染物I排放标准II挥发性有机物I排放削减率应大于九O%或工厂总排放量应小III于O.六kg/hr（以甲烷为计算基准）。|11111111I三氯乙烯I排放削减率应大于九O%或工厂总排放量应小III于O・O二kg/hro|I硝酸、盐酸、I各污染物排放削减率应大于九十五％或各污染II磷酸及氢氟酸I物工厂总排放量应小于O・六kg/hro|I硫酸I排放削减率应大于九十五％或工厂总排放量应III小于O.—kg/hro|硝酸、盐酸、磷酸、氢氟酸及硫酸等Z废气若以湿式洗涤设备处理，无法证明符合前项标准时,其控制条件应符合下列之规定：一设备洗涤循环水槽之pH值应大于七、润湿因子应大于O・一m2/hr.填充段空塔滞留时间应人于O・五秒及填充物比表面积应人于九Om2/in3。二其他可证明同等处理效果或较优之控制条件向中央主管机关巾请认可者。第5条依前条规定收集至污染防制设备处理之废气，其流量...