一种高速低耗全摆幅BiCMOS集成施密特触发器

本文档下载自文库下载网,内容可能不完整,您可以点击以下网址继续阅读或下载:http://www.wenkuxiazai.com/doc/63f1e21952d380eb62946da2.html一种高速低耗全摆幅BiCMOS集成施密特触发器一种高速低耗全摆幅!"#$%&集成施密特触发器成立张荣标李彦旭(江苏大学电气信息学院,镇江,!"!#"$)!董素玲(徐州建筑职业技术学院机电工程系,徐州,!!"##%)!##"&#’&#$收稿,!##"&"#&$#收改稿摘要:通过分析国外流行的一种()*,-集成施密特触发门,提出了一种高速、低功耗、全摆幅输出的双极型电路优势互补,电源电压为"./0,实现了优于同类产品的全摆幅输()*,-施密特触发器。该器件中单、出,且其开关速度高于同类*,-产品的"$倍以上,因此特别适用于高速数字通信系统中。超大规模集成电路关键词:双极互补金属氧化物半导体器件;施密特触发器;全摆幅设计;延时&功耗积;中图分类号:123$!文献标识码:4文章编号:(!##$)"###&$%"5#!&!"#&#3’(")*,-../,012314,56-7"14!8599,2"4)!"#$%&:#&3*6"77;*67289):6428;?)@(1,7%"’-./*’,$-%,%$.,?&@7(&!"#$%$&$’()A-,7%$’,$&-1B’,7"((3.,?&@7(&,!!"##%,9:;)9AB@=CD(!"#$%$&$’()*’,$-%,%$./!")(-01$%(",2%1"3#&4"%5’-#%$.,67’"8%1"3,!"!#"$,9:;)’=,737:4=IJKHHL,F()*,--OIP)QQQN)>>HN,OIQIHKIQFTPLHJ)>=@=L)QJJKHHLHGH=NH@OIHJ"$Q)PHJ>HN.V)QIQIHJHOI@N@OQHN)JQ)OJ,QI)JLHG)OH)JGHNTJD)Q@?FHRIJKHHL,FH@=LF?.@21@314,56-7"14-DD’##:!/’#6及鉴幅等。图"所示的*,-施密特触发器,以其://www.wenkuxiazai.com/doc/63f1e21952d380eb62946da2.htmlr"引言低压、低功耗的特点而成为5#年代后期国际市场[/]上的主流产品。但就开关速度而言,目前用户仍施密特触发器被广泛用于数字通信、遥感、遥控、遥测系统及其他场合,用来降低系统或装置对噪声和干扰信号的灵敏度,实现波形变换、整形以江苏省高校自然科学研究基金项目(#!WX(/"###/)!基金项目:然看好119施密特触发门。因为119产品比电流驱动能力强,加之119产*,-产品速度快、品的电源电压固定为/0,所以使119产品组成的7,,高速系统功耗及电源电压等级居高不下,影响了整个系统的性能!价格比。为了解决这一问题,现提出一种新的"#$%施密特触发电路,它在速度上可与&&#器件相媲美,而在低电源电压、低功耗方面也不逊于’()$产品。这就是*’()$集成施密特触发器。新的*’()$器件在电路结构上,可将硅锗双极型器件和()$器件设计成一体化的功能单元,而由若干种这样的单元,可自下而上地逐层构成!,(,8(")(,)"&7#"*BA$"@8$(%:8&’8式中"@8和%:8分别为&8管的开启电压和漏极电流,而’8;(!@C7)(*8&8)D)EFD0C"7,’8式中)EF为单位面积栅氧化层!@为电子的沟道迁移率,是&8管的沟道宽长比。电容,(*8&8)可列同理,当,从!::;,/出类似于表,的工作情况分析表(此表从略)。这时,回程电压传输特性曲线约在=/8?"处发生跳"#$%电路。基于这种符合"#$%电路设计原则的新技术,也立足于尽快研制出全新的、实用的电子器件,本文先分析一个一体化的*’()$施密特触发门,进而设计出一种新颖的*’()$施密特触发电路,供业界在开发新品时多一种选择,为提高性能!价格比提供参考依据。图,’()$施密特触发器-./,0’()$$1http://www.wenkuxiazai.com/doc/63f1e21952d380eb62946da2.html234445..657*’()$施密特触发器!/"滞回特性分析一种*’()$施密特触发电路及其电压传输特性分别如图7和图8所示。该电路由一个*’()$反相器和一个’()$闩锁电路(它用两个’()$反相器9,、97首尾交叉连接而成)所组成。若设电源电压!::;,/压设为=/>8"外,其余()$管的开启电压均设为=/8?",则可分析出该电路的工作情况如表,所示。据此可描绘出正程电压传输特性曲线,见图8中实线。由图可知,该电路的上限门槛电平"&7!,/,8",它主要由@()$管&8的几何尺寸和双极型晶体管&A的基!射极压降"*BA(约为=/?")来决定,即变,如图8中虚线所示。由此可知,该电路的下限门槛电平"&,可简单地由G()$管&,的开启电压"G,决定,即"&,!=(8?(")#"G,(7)从而该*’()$施密特触发器的回差电压!"&为!"&#"&7-"&,#=(?A(")(8)...

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