IR2110在IGBT驱动电路中的应用IR2110在IGBT驱动电路中的应用收藏|分类:|查看:6101|评论(0)摘要：针对IGBT的半桥或者全桥的驱动，利用具有双通道集成驱动的IR2110来驱动IGBT。对其自举工作原理进行了分析，同时增加了栅极电平箝位电路，克服了IR2110不能产生负偏压的缺点，并在2kW、400V汽车直流充电器中以此驱动IKW40N120T2电路的试验中验证了其理论分析的正确性。用于IGBT或功率MOSFET驱动的集成芯片模块中，应用技术比较成熟的有东芝LP250、富士EXB8系列、三菱M579系列等，但是这些模块都是单驱动，如果要驱动全桥结构的逆变电源则需要4个隔离的驱动模块，不但费用高、而且体积大。美国IR公司推出的高压浮动驱动集成模块IR2110是一种新型的功率MOSFET或IGBT驱动模块，它本身允许驱动信号的电压上升率达±50V/μs，极大地减小了功率开关器件的开关损耗。此外，由于IR2110采用自举法实现高压浮动栅极双通道驱动，因此可以驱动500V以内的同一相桥臂的上下两个开关管，减小了装置体积，节省了成本。1IR2110自举电路工作原理分析自举电路如图1所示，其工作原理如下：Q2导通期间将Vs的电位拉低到地，Vcc通过自举电阻Rbs和自举二极管Dbs给自举电容Cbs充电，通过电容Cbs在Vb和Vs之间形成---本文来源于网络，仅供参考，勿照抄，如有侵权请联系删除---一个悬浮电源给上桥臂主开关器件Q1供电。自举电路的存在使同一桥臂上、下主开关器件驱动电路只需一个外接电源。图1IR2110自举电路2IR2110栅极电平箝位电路由于IR2110不能产生负偏压，将它用于驱动桥式电路时，由于密勒效应的存在，在开通与关断时刻，集电极与栅极间的寄生电容有位移电流产生，容易在栅极上产生干扰。特别是在大功率情况下，关断电流较大，IR2110驱动输出阻抗不够小，沿栅极灌入的位移电流会在驱动电压上叠加形成比较严重的毛刺干扰。IR2110在IGBT驱动电路中的应用收藏|分类:|查看:6101|评论(0)摘要：针对IGBT的半桥或者全桥的驱动，利用具有双通道集成驱动的IR2110来驱动IGBT。对其自举工作原理进行了分析，同时增加了栅极电平箝位电路，克服了IR2110不能产生负偏压的缺点，并在2kW、400V汽车直流充电器中以此驱动IKW40N120T2电路的试验中验证了其理论分析的正确性。用于IGBT或功率MOSFET驱动的集成芯片模块中，应用技术比较成熟的有东芝LP250、富士EXB8系列、三菱M579系列等，但是这些模块都是单驱动，如果要驱动全桥结构的逆变电源则需要4个隔离的驱动模块，不但费用高、而且体积大。美国IR公司推出的高压浮动驱动集成模块IR2110是一种新型的功率MOSFET或IGBT驱动模块，它本身允许驱动信号的电压上升率达±50V/μs，极大地减小了功率开关器件的开关损耗。此外，由于IR2110采用自举法实现高压浮动栅极双通道驱动，因此可以驱动500V以内的同一相桥臂的上下两个开关管，减小了装置体积，节省了成---本文来源于网络，仅供参考，勿照抄，如有侵权请联系删除---本。1IR2110自举电路工作原理分析自举电路如图1所示，其工作原理如下：Q2导通期间将Vs的电位拉低到地，Vcc通过自举电阻Rbs和自举二极管Dbs给自举电容Cbs充电，通过电容Cbs在Vb和Vs之间形成一个悬浮电源给上桥臂主开关器件Q1供电。自举电路的存在使同一桥臂上、下主开关器件驱动电路只需一个外接电源。图1IR2110自举电路2IR2110栅极电平箝位电路由于IR2110不能产生负偏压，将它用于驱动桥式电路时，由于密勒效应的存在，在开通与关断时刻，集电极与栅极间的寄生电容有位移电流产生，容易在栅极上产生干扰。特别是在大功率情况下，关断电流较大，IR2110驱动输出阻抗不够小，沿栅极灌入的位移电流会在驱动电压上叠加形成比较严重的毛刺干扰。---本文来源于网络，仅供参考，勿照抄，如有侵权请联系删除---