远距离信号走电流比走电压好在不得已要远距离拉线时，走电流信号比走电压信号效果要好，电压信号线受到的干扰比电流信号线受到的干扰要大，稍候附图加以补充。如图所示，假设在版图上N1和P2相隔比较远，需要走一段比较远的距离，这时候可以有两种选择，一种是将P0，P1，P2画在一起，N1的漏通过长金属连接到P0的源漏，P1P2的栅，这称为电流传送，因为长金属中流过的是电流信号。还有一种，是将N1P0P1画在一起，然后通过一段较长的金属将P0P1的栅和P2的栅连接在一起，这称为电压传输，因为长金属中传送的是电压信号。假设长金属在传送过程中，均受到线侧壁电容耦合过来的噪声电压，分别用Nv1和Nv2来模拟，可以看到，电压传送模式中Nv2直接影响P2的栅压，使其电流发生变化，而电流传送模式中Nv1虽然使得N1的漏电压发生变化，但P0的栅压只跟N1电流有关，P2仍复制N1的电流，受到的影响明显比前一种画法要小。完。信号线的动静相间动态信号线，如时钟线，快速变化的数据线如果靠得太近，线与线间的侧壁电容会大于我们的想像，由此电容耦合产生的干扰是比较严重的干扰。如果动态信号线两侧都是静态信号线，甚至是地线，或电源线，它们受到的干扰就会小得多，尤其是两侧用同层金属的地线夹住，会起到明显的保护作用。在条件不允许的情况下，比如地方不够，两边没有办法拉出两根地线，则---本文来源于网络，仅供参考，勿照抄，如有侵权请联系删除---尽量做到动态信号线和静态信号线相互交叠的方式走线。比如，一根时钟线，旁边是一根运放的偏置电流线，再旁边是一根动态信号线，再旁边又是一条偏置电流线，这样的效果比时钟线和动态信号线并排走要好。走电流信号比走电压信号更好。数字模块和模拟模块的电源隔离数字地和模拟地都连接在衬底上，没有办法做到真正的隔离，唯一可采取的措施在于拉远两者地的距离。数字地的diff都可以打细一些，金属保持足够的宽度，以减少与analog之间的串扰。电源圈顺序为保险起见，不管是analog还是digital，电源圈都是地在外，电源在内。混合信号芯片的电源圈顺序混合信号集成电路中模拟部分和数字部分都要围两圈电源和地，有时候在数字和模拟之间要再加上一圈地，这样，从数字的core到模拟的core之间一共是隔了五条宽线。按照一般的画法，模拟部分是电源放在内圈，地放在外圈，数字部分也是一样，都是地放在外圈。但是为了使电源和地之间的寄生电容更大，有时候需要这五条宽线的电源地交错出现，因此，电源和地谁在外谁在内也可以作适当调整。但一般来说，是应该地在外圈，电源在内圈。如果对数字部分不放心，可将其多围几圈围得像水桶一样，这样更稳妥。Digital电源线用多宽SE没有电源分析功能，如果用SE作PR，电源线的宽度要自己人为估计，是否够用也只能根据经验主观判断，工具也没有办法验证电源的线宽是否够用。因此，对数字PR的线宽有一个基本的概念还是很重要的。根据一般情况，digital部分的电源线宽度约为digital部分总面积的1/100比较合适。比如，对于2000um*2000um的数字电路来说，电源线的宽度设为20um就比较合适，digital部分中间根据需要拉一些strip，strip的宽度可以适当减比较合适。strip设一条800um工艺，每隔0.5um。对于8um或者10um小一些，比如设为这些数据都是比较粗糙的估计，对于具体的项目，就有具体的应对，粗一点细一点都没有太大的影响CMOS工艺中浮阱的处理为避免沟道调制效应，有些MOS管的衬底和源接在一起，如果这时MOS的源不在电源或地方，则衬底需要一个单独的阱，称为浮阱。在我所见的工艺中，整片P衬底是连成一片的，所以浮阱只限于N阱。浮阱需要单独的地围起来，这圈地不能再围其它不同电位的浮阱，稳妥的做法是浮阱边缘n阱以内打一圈nsubstreatering接源极，再在外圈p衬底上打一圈psubstrante接地，之外再打一圈nsubstratering接电源，即形成三圈guardring，这样就最好了。不过在实际项目中，没有做三圈ring的投片回来的东西也没有问题。在不允许的条件下，也可不打三圈ring，但不同电位的浮阱是不能放在同一个gndring中的。宽metal开槽的两个解释在0.5um工艺中，金属线宽超过30um，长超过500um...