掺杂T元素对ZnO压敏陶瓷电性能的影响——第二实验小组摘要：研究了Ti元素的不同掺杂量对氧化锌压敏陶瓷的显微结构和电性能的影响。发现了掺杂Ti元素可降低压敏陶瓷的压敏电压，增大非线性系数。这主要与Ti元素可促进晶粒生长有关。关键词：ZnO压敏陶瓷微观结构晶粒生长压敏电压压敏电阻陶瓷材料是指在一定温度下和某一特定电压范围内具有非线性伏安特性、其电阻随电压的增加而急剧减小的一种半导体陶瓷材料。根据这种非线性伏-安特性，可以用这种半导体陶瓷材料制成非线性电阻器，即压敏电阻器。压敏电阻器根据所应用的电压范围可以分为高压压敏电阻器、中压压敏电阻器和低压压敏电阻器。1实验1.1样品制备配料：ZnO、Bi2O3、TiO2、Co2O3、MnO2、Sb2O3---本文来源于网络，仅供参考，勿照抄，如有侵权请联系删除---陶瓷材料中的所有成分都可以溶解在粒间相中，在烧结过程中，晶粒交界处可能形成尖晶石晶体，但是它们不参与导电过程。氧化物的改性添加可以改变晶粒电导或晶界的结构及化学状态，尤其是偏析于晶界的杂质对晶界活性有很大的影响，因而适当的掺杂选择对形成和改善非线性起着很重要的作用，而且晶界势垒是ZnO压敏陶瓷烧结时在高温冷却过程中形成的，烧结工艺直接影响杂质缺陷在晶界中的分布，从而影响晶界化学结构。寻求一个相对合适的ZnO压敏陶瓷的低压化配方，并且将所学专业理论知识与实际相结合，经查阅文献，我们设计了添加剂的量依次适当增加的四组平行实验来进行研究。对制备ZnO压敏陶瓷的基本工艺流程做了初步的了解。确定烧结条件接着我们按每组不同的质量百分比对粉料进行称重，充分研磨混合，加胶压片，排胶预烧，不同温度烧结成瓷，制备样品。具体步骤：取料称量：将纯度为分析纯的ZnO和Bi2O3、TiO2、Co2O3、MnO2、、Sb2O3等添加剂按精确比例称量。---本文来源于网络，仅供参考，勿照抄，如有侵权请联系删除---研磨：称料后，将料放在玛瑙研钵中研磨20min。加胶：在混合好的粉料中加入1~2滴粘结剂（PVA)造粒。压片：粘结剂与粉体充分混合后在6~10MPa（分三组）压力下压成直径Φ11mm×1.5mm，质量约为1g的圆片坯体。烧结：先将圆片生坯在箱式电阻炉中从室温（25℃）以1℃/min烧至600℃，温1.5h；后在1150℃~1250℃(分三组)间烧结成瓷，保温2h后随炉冷却。被银：在陶瓷圆片的两端面均匀地涂银浆，在箱式电阻炉内850℃加热30min，使样品两端被上电极。性能测试：再将涂好银浆的圆片在ZOV-03B型压敏电阻直流参数测试仪上测试其非线性系数α、压敏电压V1mA、漏电流IL等一些参数。1.2电性能测试制备好的样品在ZOV-03B型压敏电阻直流参数测试仪上测试其非线性系数α、压敏电压V1mA、漏电流IL等一些参数。压ZnO压敏电---本文来源于网络，仅供参考，勿照抄，如有侵权请联系删除---阻主要是作为保护电路的元件，其是否合格的重要依据便是电性能的好坏，然而反映电性能好坏的参数主要是漏电流、压敏电压和非线性系数。当漏电流和压敏电压较小，非线性系数较大时，是低压ZnO压敏电阻的电性能最好的情况。通过测试得出这三个参数与组分之间的关系趋势，然而在透反射偏光显微分析中已经排除了裂痕等客观因素对电性能影响，所以在进行深入分析产生这样趋势的原因时，需结合各组分的配比来说明。在量程为1400V，电压400V，75%和85%，双向的工作状态下用ZOV-03B压敏电阻直流参数测试仪测得的数据表：---本文来源于网络，仅供参考，勿照抄，如有侵权请联系删除------本文来源于网络，仅供参考，勿照抄，如有侵权请联系删除---电压75%U1U2ILU1/U2a11600.0%480398.5108.81.206712.750.3%388.25321.25108.4751.2117712.250.5%638.7556656.3251.12720.751.0%381.25325.2584.7751.172515.511800.0%571.5490.2588.5751.16315.50.3%330.45261.25108.2121.345910.050.5%494.5415.2570.0751.17317.251.0%369.25301.25107.351.2271212000.0%468391.591.7751.210514.750.3%526441.2590.1251.1942140.5%470.5360.7599.0751.228512.51.0%409355101.0751.231512电压85%电压85%U1U2ILU1/U2a11600.0%476.5395.2541.3251.213512.50.3...