IGBT模块工作原理以及检测方法

IGBT模块工作原理以及检测方法IGBT模块工作原理以及检测方法IGBT模块简介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFE和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFE器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFE与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极G和发射极E之间加上驱动正电压,则MOSFE导通,这样PNP晶体管的集电极C与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOS截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。IGBT与MOSFE一样也是电压控制型器件,在它的栅极G-发射极E间施加十几V的直流电压,只有在uA级的漏电流流过,基本上不消耗功率。图1IGBT的等效电路2IGBT模块的选择IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当---本文来源于网络,仅供参考,勿照抄,如有侵权请联系删除---IGBT模块集电极电流增大时,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗增大,使原件发热加剧,因此,选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时,由于开关损耗增大,发热加剧,选用时应该降温等使用。3使用中的注意事项由于IGBT模块为MOSFE结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20?30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:1.在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先ffl1iUBT的需戰电曙IGBT模块工作原理以及检测方法IGBT模块简介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFE和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFE器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFE与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极G和发射极E之间加上驱动正电压,则MOSFE导通,这样PNP晶体管的集电极C与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOS截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。IGBT---本文来源于网络,仅供参考,勿照抄,如有侵权请联系删除---与MOSFE一样也是电压控制型器件,在它的栅极G-发射极E间施加十几V的直流电压,只有在uA级的漏电流流过,基本上不消耗功率。图1IGBT的等效电路2IGBT模块的选择IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗增大,使原件发热加剧,因此,选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时,由于开关损耗增大,发热加剧,选用时应该降温等使用。3使用中的注意事项由于IGBT模块为MOSFE结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20?30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:1.在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先ffl1iUBT的需戰电曙---本文来源于网络,仅供参考,勿照抄,如有侵权请联系删除---

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