LED芯片封装工艺中焊接缺陷研究LED芯片封装工艺中焊接缺陷研究２００９年第２８卷第ｌＯ期传感器与微绦统（ＴｒａｎＳｄｕｃｅｒａｎｄＭｉｃｒｏｓｙｓｔｅｍＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）５５ＬＥＤ芯片封装工艺中焊接缺陷研究冰余大海，文矗梅，李乎，蔡有海（重庆大学巍毫王疆学院爱毫皴拳及系统教骞部耄赢实验室，耋痰４０００４４）摘要：介绍了发光二极管（ＬＥＤ）封装工艺中常见焊接缺陷与Ｗ能存在的危害。对污染物造成的焊接缺陷作了具体研究，理论分析了因缺陷引入的接触电阻和隧道电阻，测量了正常情况和缺陷焊接时ＬＥＤ的光谱和光生电流，并提出了存在缺陷焊接的ＬＥＤ的等效电路，对实验结果进行了分柝。结果表明：ＬＥＤ发生焊接块陵澈戆发光强度、宠生电浚臻显院蓬鬻淆况枣，霹泼遥过蒺ｌ试ＬＥＤ芯片黪发毙强度或惫燕邀漉达到检测ＬＥＤ焊接缺陷的精的。该研究对提离ＬＥＤ封装的可靠性和提出检测ＬＥＤ焊接缺陷的方法舆有重要意义。关键词：ＬＥＤ封装；焊接缺陷；接触电阻；隧邋电阻中图分类鼍：ＴＮ３１２文献标识码：Ａ文章编号：１０００－９７８７（２００９）１０－００５５－０３ＲｅｓｅａｒｃｈｏｎｗｅｌｄｉｎｇｆａｕｌｔｄｕｒｉｎｇＬＥＤｃｈｉｐｓｐａｃｋａｇｉｎｇ宰ＹＵＤａ—ｈａｉ，ＷＥＮＹｕ—ｍｅｉ，ＬＩＰｉｎｇ，ＣＡＩＹｏｕ—ｈａｉ（ＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＯｐｔｏ－ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ＆ＳｙｓｔｅｍｓｏｆＭｉｎｉｓｔｒｙｏｆＥｄｕｃａｔｉｏｎ，ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＯｐｔｏ－ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＣｈｏｎｇｑｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈｏｎｇｑｉｎｇ４０００４４，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＦｒｅｑｕｅｎｔｗｅｌｄｉｎｇｆａｕｌｔｓａｎｄｔｈｅｉｒｈａｒｍｄｕｒｉｎｇＬＥＤｃｈｉｐｓｐａｃｋａｇｉｎｇａｌｅｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ．ＡｔｙｐｉｃａｌｂｌｏｔｗｅｌｄｉｎｇｆａｕｌｔｏｆＬＥＤｃｈｉｐｓｉｓｓｔｕｄｉｅｄ．ａｎｄｉｔｓｃｏｎｔａｃｔｒｅｓｉｓｔａｎｃｅａｎｄｔｕｎｎｅｌｉｎｇｒｅｓｉｓｔａｎｃｅａ艄ａｎａｌｙｚｅｄ．ＴｈｅｓｐｅｃｔｒａｌｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃａｎｄｐｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔｏｆＬＥＤｃｈｉｐｓａｔｔｈｅｎｏｒｍａｌａｎｄｆａｕｌｔｗｅｌｄｉｎｇａｌｅｍｅａｓｕｒｅｄ．Ｔｈｅｏｐｔｏ－ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｅｑｕｉｖａｌｅｎｔｃｉｒｃｕｉｔｏｆｗｅｌｄｉｎｇｆａｕｌｔＬＥＤｉｓｐｒｏｐｏｓｅｄ，ａｎｄｔｈｅｅ_ｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｒｅｓｕｌｔｉｓａｎａｌｙｚｅｄｂｙｔｈｅｃｉｒｃｕｉｔ．Ｔｈｅｅ_ｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｒｅｓｕｌｔｓｈｏｗｓｔｈａｔｔｈｅｌｉｇｈｔｉｎｔｅｎｓｉｔｙａｎｄｐｈｏｔｏｅｕｒｒｅｎｔｏｆｔｈｅｗｅｌｄｉｎｇｆａｕｌｔＬＥＤｃｈｉｐｓａｌｅｍｕｃｈｌｅｓｓｔｈａｎｔｈａｔｏｆｔｈｅｎｏｒｍａｌｏｎｅｓ．ＩｔｃａｎｄｅｔｅｃｔｔｈｅｗｅｌｄｉｎｇｆａｕｌｔｏｆＬＥＤｃｈｉｐｓｂｙｍｅａｓｕｒｉｎｇｔｈｅｌｉｇｈｔｉｎｔｅｎｓｉｔｙｏｒｐｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔｏｆＬＥＤｃｈｉｐｓ．ＴｈｅｒｅｓｅａｒｃｈｉｓｉｍｐｏｒｔａｎｔｆｏｒｉｍｐｒｏｖｉｎｇｔｈｅｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙｏｆＬＥＤｐａｃｋａｇｉｎｇａｎｄｐｒｏｐｏｓｉｎｇｔｈｅｍｅｔｈｏｄｏｆｄｅｔｅｃｔｉｎｇｗｅｌｄｉｎｇｆａｕｌｔｓｄｕｒｉｎｇＬＥＤｐａｃｋａｇｉｎｇ．Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＬＥＤｐａｃｋａｇｉｎｇ；ｗｅｌｄｉｎｇｆａｕｌｔ；ｃｏｎｔａｃｔｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ；ｔｕｎｎｅｌｉｎｇｒｅｓｉｓｔａｎｃｅＯ引言接、重复焊接、焊点损伤变形、焊接引线弓丝角度不合适最发光二极管（１ｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅ，ＬＥＤ）是一种半导体为常见∽】。它们主要是肉生产工艺控制不严格，焊点未焊发光元件。ＬＥＤ具有使用寿命长、功耗低、环保等诸多优接在有效区域内，生产环境洁净度不高等原因引起的。这煮，在指示程显示领域葶嚣翻了广泛的应用。隧羞大功率鑫些焊接缺鹅霹能会导致接舷邀阻...