《嵌入式系统开发技术》试卷A答案及评分细则一、选择题（请把正确的答案填写的答案表格内，每题2分，共计30分）题号12345678答案ACBDBABD题号9101112131415答案ADBABBB二、填空题（请把正确的答案填写的答案表格内，每空1分，共计10分）题号答案答案1FIQSWI2满堆栈空堆栈3MPLLUPLL4NormalPower_off5寄存器使用规则堆栈使用规则三、简答题（简明扼要回答问题，每题6分，共计30分）1、简要阐述ARM的异常处理过程？（6分）答：当任何一个异常发生并得到相应时，ARM内核自动完成一下动作：1、将下一条指令的地址存入相应的连接寄存器中，以便程序正确返回。（2分）2、将CPSR的值复制到SPSR中（1分）3、根据异常类型，强制设置CPSR的运行模式位（1分）4、设置PC使其从相应的异常向量地址取下一条指令执行，从而跳转到相应的异常处理程序处。（2分）2、如何搭建基于S3C2410A处理器的最小系统，需要考虑哪些因素。（6分）答：1、电源设计；（要考虑功耗，提供1.8V,3.3V和干电池供电）（2分）。2、晶振电路设计；（考虑RTC时钟的晶振，和芯片的外接晶振）（1分）3、复位电路设计；（考虑使用复位芯片，提高性能）（1分）4、jtag接口设计；（制作简易的jtag接口）（1分）5、存储系统设计；（根据需要选择存储系统）（1分）3、NorFlash和NandFlash的各自的特点是什么，主要有什么区别？（6分）答：其主要区别如下：(1).性能比较（2分）Nor的读速度比Nand稍快一些。Nand的写入速度比Nor快很多。Nand的4ms擦除速度远比Nor的5s快。大多数写入操作需要先进行擦除操作。Nand的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。(2).容量和成本（2分）NorFlash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NandFlash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明Nor主要应用在代码存储介质中，Nand适合于数据存储。(3).接口差别（2分）NorFlash带有SRAM接口，有够的足地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。Nand器件使用复杂的I/O口来串行存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。4、如何在特权模式下用ARM汇编指令使能IRQ中断(6分)MRSR0，CPSR（2分）ANDR0，R0,0X3F（2分）MSRCPSR_c,R0（2分）5、CMP指令的操作数是什么？写一个程序，判断R1的值是否大于0X30，是则将R1减去0X30（6分）CMP指令用于将第一个操作数寄存器Rn的值减去第二个操作数，根据操作的结果更新CPSR中的相应条件标志位，以便后面的指令根据相应的条件标志来判断是否执行。（3分）MOVR0,#0X30（1分）CMPR1,R0（1分）SUMGTR1,R1,R0（1分）四、编程题（每题10分，共计20分）1、寄存器R0=10，R1=30和R2=20中有三个数，求其中的最大的一个，结果存储在R3。（10分）AREAEXAMPLE2,CODE,READONLYENTRYCODE32MOVR0,#10MOVR1,#30MOVR2,#20（1分）START（4分）CMPR0,R1BLELBL_aCMPR0,R2MOVGTR3,R0MOVLER3,R2LBL_a（4分）CMPR1,R2MOVGTR3,R1MOVLER3R2LBL_B（1分）B.END2、编程实现将从地址src开始的num个字的数据复制到地址dst去，要求每次复制八个字，如果不足八个字，每次复制一个字。AREAexample4,code,readonlynumequ25entry（1分）Startldrr0,=srcldrr2,=dstmovr2,#num（2分）Blockcopymovsr3,r2,lsr#3beqwordcopystmfdsp!,{r4-R11}（2分）Copyldmiar0!,{r4-r11}stmiar1!,{r4-r11}subsr3,r3,#1Bnecopy（2分）Wordcopyandsr2,r2,#7beqstop（2分）Copyloopldrr3,[r0],#4strr3,[r1],#4（2分）subsr2,r2,#1Bnecopyloop（2分）Stopb.areaoridate,data,readwrite（2分）Srcdcb0,1,2,3,4,5,6,7,8,9,0,1,2,3,4,5,6,7,8,9,0,1,2,3,4Dstspace25*4End五、实验题目#include"config.h"//定义独立按键KEY1的输入口#defineKEY_CON(1<<4)/*GPF4口*/（1分）//定义蜂鸣器控制口#defineBEEP(1<<10)/*GPH10口*/（1分）#defineBEEP_MASK(~BEEP)（1分）voidDelayNS(uint32dly)（2分）{uint32i;for(;dly>0;dly--)for(i=0;i<50000;i++);}intmain(void){//初始化I/OrGPFCON=(rGPFCON&(~(0x03<<8)));//rGPFCON[9:8]=00b，设置GPF4为GPIO输入模式（1分）rGPHCON=(rGPHCON&(~(0x03<<20)))|(0x01<<20);//rGPHCON[21:20]=01b，设置GPH10为GPIO输出模式（1分）while(1){if(rGPFDAT&KEY_CON)//读取GPF口线上的电平，判断GPF4是否为高电平{rGPHDAT=rGPHDAT|BEEP;//GPF4为高电平，则设置GPH10=1（1分）}else{rGPHDAT=rGPHDAT&BEEP_MASK;//GPF4为低电平，则设置GPH10=0（1分）}DelayNS(1);（1分）}