行业标准《氮化钱衬底片》编制说明（预审稿）一、工作简况1、立工程的与意义宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。和第一代（Si为代表）、第二代（GaAs为代表）半导体材料相比，以宽禁带为主要特征的第三代半导体以更高的击穿电压、更高的热导率、更高的电子饱和漂移速率和更高的抗辐射能力，开始在军事、航空航天、LED照明等领域崭露头角。其优良的特性使其应用独具特点且不可替代，如：耐高温使得宽禁带半导体可以适用于工作温度在650℃以上的军用武器系统和航空航天设备中；大功率在降低自身功耗的同时提高系统其它部件的能效，可节能20%〜90%；高频特性可以极大的提高雷达效率，在维持覆盖的前提下减少通信基站的数量，且可实现更高速IC芯片的制造；宽禁带使得高亮度白光LED照明成为可能，同时可降低电力损耗47%；抗辐射可以减少设备受到的干扰，在延长航空航天设备使用寿命的同时极大的降低重量。氮化钱（GaN）是最具代表性的第三代半导体材料，已成为高温、高频、大功率微波器件的首选材料之一,是迄今为止理论上电光、光电转换效率最高的材料体系。目前GaN器件有三分之二应用于军工电子，如军事通讯、电子、干扰、雷达等领域；在民用领域，氮化钱主要被应用于通讯基站、功率器件等领域。未来五年，基于第三代半导体材料的电子器件将广泛应用于5G基站、新能源汽车、特高压、数据中心等场景。目前国内氮化保单晶生长，以及用氮化铁单晶衬底片的产业链已经打通，并形成一定的产业规模，但目前氮化铁材料标准中没有衬底片的相关标准。制定《氮化钱衬底片》的行业标准，有利于规范、指导氮化钱衬底片的生产，促进产业的进步和开展。2、任务来源东莞市中钱半导体科技（以下简称“中钱半导体”）于2010年7月向全国半导体设备和材料标准化技术委员会秘书处提交了推荐性国家标准工程建议书和标准框架稿，申请关于氮化钱材料的国家标准立项，由于早期产品量产规模等各种原因未获批立项。后于2019年10月15日以此前的工作基础整理完成预研稿重新呈报了关于氮化钱衬底片的标准立项申请，标准题目明确为《氮化钱衬底片》。2020年12月30日《氮化钱衬底片》行业标准正式批复立项（见《关于转发2020年第三批半导体材料国家、行业标准工程计划的通知》（半材标委（2020）31号）），工程计划编号为：2020-1202T-YSo3、工程承当单位概况本标准的第一承当单位中铁半导体，公司设于广东东莞，注册资金1.3亿元人民币，投资方为广东光大企业集团。中钱半导体为中国国内首家专业生产氮化铉（GaN）衬底材料的企业。该企业以北京大学宽禁带半导体研究中心为技术依托，引进国内外优秀的技术及管理团队，拥有先进的技术及管理优势和广泛的地缘优势。公司主要产品为GaN衬底材料，包括GaN衬底、GaN/AbO3复合衬底以及衬底材料制备的关键设备，如HVPE设备等。公司拥有完全自主知识产权的GaN单晶衬底材料及复合衬底的制备技术，公司共有专利155项，其中已授权专利90项（含：创造专利71项，实用新型专利18项，外观设计专利1项）。已提交PCT专利7项，已授权11项。4、主要工作过程起草阶段为了作好本标准的制订工作，我们成立了标准编制小组，制订了标准编制计划，在提出立项申请的同期，标准编制小组先期启动了产品状况调研和市场调研，于2019年10月15日对早期提出的《氮化钱复合衬底》和《氮化钱自支撑衬底》两个标准草案进行进一步修改后提交秘书处审议；结合目前GaN材料在产业化推进中的突破与进展现状，编制小组成员对标准草案屡次深入讨论同时征求全国半导体材料标准化技术委员会（以下简称“半材标委会”）秘书处意见，最终将两个标准草案内容整理合并，把氮化钱自支撑衬底和氮化钱复合衬底作为两个不同类别在草案中增加了分类章节，最终定名为《氮化钱衬底片》。2020年12月底该工程正式获批立项后，我们汇总了国内外生产厂家的生产工艺及产品技术水平以及用户的需求，对标准草案内容进行细化，同时按照《标准化工作导那么第1局部：标准化文件的结构和起草规那么》（GB/T1.1—2020）的编写要求，于2021年3月25日完成了该标准的工作组讨论稿。4.1征求意见阶段2021年4月份起，我们屡次与编制小组成员单位...