ACT30系列IC独立控制器及其应用1ACT30的反偏安全工作区在小功率电池充电器、电源适配器及开关电源中，广泛采用RCC变换器，其基本电路如图l所示。这种RCC电路由于是基极激励，其安全工作电压受BVceo的限制。但是，如果采用了ACT30系列独立控制器，接在普通NPN型开关晶体管的射极，或N沟道MOSFET的源极。如图2所示，采取射极激励的方式。就可大大改善NPN型晶体管的安全工作范围。图3为NPN反偏安全工作区。我们知道，通常BVcbo>BVceo，图中的安全工作电压由Vceo扩大到Vcbo。这样，对于交流265V的电网电压，就可采用普通的NPN型功率开关晶体管。ACT30系列独立控制器还具有输出短路保护、过流保护和欠压保护等功能。下面对IC器件及其实用电路作一详细介绍。2ACT30的外形引脚及内部功能1)ACT30的外形和引脚ACT30系列IC有两种封装形式：TO一92(见图4a)币NSOT23—5(见图4b)。2)ACT30的引脚功能ACT30的引脚排列见表1。3)ACT30内部功能图5为ACT30的功能方框图。主要包括：开关控制逻辑、两个带有并联电流检测的接通芯片中间电压驱动MOSFET、驱动器、振荡器斜坡产生器、电流限制VC发生器、误差比较器、打嗝控制偏置、欠压锁定和调压电路。从图5看出，该IC有6个内部端子，VDD是电源供电端，DRVl和DRV2是线性驱动输出，可以驱动外接NPN高压晶体管或N沟道MOSFET管的射极。这种射极驱动方式，可充分利用晶体管的BVcbo高的优点。可采用低成本的晶体管，如W13003D(BVcbo=700V)或W13003(BVcbo=600V)适用输入电压变化较宽的场合。转换速度限制的驱动和外接NPN晶体管的截止特性一起可使EMI降低。驱动峰值电流(相对于供电电压VDD)设定有负压系数，这样，较低的供电电压，会自动引导出较高的DRVl峰值电流，这种方式，当供电电压降低时，光耦器可以直接控制VDD去影响驱动电流增加。4)ACT30的启动时序图2表明一个简化的应用电路。开始，微小电流通过电阻R1给电容C1充电，晶体管作为射极跟随器，使DRVl电压也随之升高，内部调节器产生VDD电压使VDRl为3．6V(对于ACl730A／C)或4．6V(对于ACT30B／D)。不过，VDD不超过5．5V。当VDD达到5V时，该调节器电源的作用停止，VDD开始下降(由于有电流消耗)，当VDD电压降到低于4．75V时，光耦反馈电路阻止VDD进一步下降。这种转换作用也允许反馈绕组接替C1电容去供电。图6为ATC30的典型启动次序波形图。为了限制反馈电压，图2中的VD1用12V稳压管(对于ACT30A／C)或者13V稳压管(对于ACT30B／D)。由于启动电流很小，可以把启动电阻R1加大到2MΩ。实际的R1值应按待机损耗和启动时间延迟两者兼顾考虑。在正常工作时，来自变压器次级侧的反馈信号，通过光耦转换成电流信号注入VDD脚。VDD脚的动态电阻为9kΩ。综合的VDD电压影响IC的转换。从功能方框图看出，电流限制VC产生器利用VDD电压和基准电压4．75V之间的差，在误差放大器的负输入端上产生一个成比例的偏差电压。在每次开关周期开始点，该驱动器接通。当初级的电流增加时，电流检测电阻电流(是变压器初级电流的一部分)也随时增加。当电流检测电阻上的电压加上振荡器斜坡信号，等于误差比较器负的输入电压时，该驱动器就关断。DRVl峰值电流具有负电压系数，为一0．29A／V。当输出电压小于调节器电压，VDD脚上的电流就是零。并且VDD电压下降，在VDD=VUV=3．35V，DRV1峰值电流最大为400mA。VDD电压低时，驱动电流IDRV1最大，输出升到调整点，超过此点，光耦又动作，来阻止VDD下降。5)极限电流的调节该IC专有的驱动安排，允许电流极限值在400mA及1．2A之间调节。为了理解这点，该驱动器必须按线性电阻器件来使用。典型的电阻值为3．6Ω(而不是按数字输出开关用)。电流极限值则可通过图7所示的线性组合来计算。对于TO一92封装ACT30A／C，均能设定到400mA极限值，而ACT30B／D被设定为800mA极限值。对于ACT30E(SOT23—5)包封，提供DVRl和DVR2两个端子。6)脉冲频率跳变PFWM开关控制逻辑单元是依据输出负载电流大小按不同的模式工作的。在轻载下，VDD电压约为4．75V。由每个开关周期(最小导通时间为500ns)传输到输出端的能量，引起VDD稍微增加到高于4．75V，PFWM开关控制逻辑单元框能够检测出这种状态，并阻止VDD低于4．75V。这就导...