铁电存储器FRAM在12导心电图机中的应用铁电存储器FRAM在12导心电图机中的应用维普资讯第23卷第2期甘肃科技GauSceeacooynsincndTehnlgZ2No.3.2Fe207b.02____年2月0铁电存储器FA在1RM心电图机中的应用2导罗予东(应学院计算机科学与技术系,东梅州541)嘉广105摘要:对FAM的随机读取速度快,易失性等特性,出了采用F80针R非提M1L8的12导心电图机的存储器扩展的解决方案.系统应用F80M1L8独立作为DP外围存储器扩展,代了传统S替ROM和SAM分立设计,R简化了系统硬件和软件设计,高了系统可靠性,提并设计了FAM与高R速DP芯片的接口,高了存储器的访问速度,时实现了心电数据快速无挥发存储.S提同关键词:2导心电图机;电存储器;S1铁DP中图分类号:H7,T722储器.Rmtoarn的FRAM核心技术是铁电,其存储1前言随着人们生活水平的提高,心血管疾病已成为危害人类生命健康的三大杀手之一,为心血管疾作病诊断的有效工具一心电图机得到很大的发展,但目前对心血管病的临床监测和病理分析普遍存在着动态心电和心音图检查相分离,者不能同步采集二技术现在已非常成熟.现采用03微米制造工艺,.5相对于现有的05微米的制造工艺而言,大降低.极了芯片功耗,提高了成本效率,随着铁电存储器的性能越来越高,容量越来越大,格越趋合理,未来价在几年里大有取代其它存储器的趋势.铁电存储器相对于其它类型的存储器,主要具有以下特点L:2]数据,据传输速度慢,积大,数体不易便携等问题,为心脏疾病的准确诊断和寻找心血管病的机理带来一定的困难,因此多功能,速,高小型化及用户数据可存储成为其发展趋势,随着高速单片机及DP不而S断的推出,电图机速度瓶颈已由微控制器速度转心变为外围器件如存储器等与其接口速度,并且限于传统存储器的特性也无法较好的满足高速,复多重次的数据无失保存.()电存储器可以跟随总线速度写入而无须1铁任何的写入等待时间;()电贮存器可以象SAM那样无限次的写2铁R入,新一代铁电存储器的写入寿命高达百亿次,而EPOM只能应付十万至百万次写入;ER()低功耗,写入能量消耗仅为EPOM3超它ER的120./50传统的存储器可分为两种:失性存储器和非易易失性存储器[.易失性存储器包括SAM(态1]R静随机存储器)DAM(态随机存取存储器)他和R动,总而言之,电存储器具有的优势可以用四个铁字来概括,多;快,,.即读写次数多,入速;,好省写度更快,可靠性更好,耗更省.功们在掉电后都不能保存数据.RAM类型的存储器容易使用且速度很快,但是掉电后数据也随之丢失.非易失性存储器掉电后数据不丢失,是现有的传但统非易失性存储器均源自ROM技术,有以它为所基础发展起来的非易失性存储器都存在很难写入,且写入速度慢等缺点,们包括ER它POM,E-EPROM和FAS,们存在写入时间长,写次数LH它擦2F8OM1L8简介F80M1L8是RAMTROM公司生产的容量为3K_8i的并行FAM嘲.2BtR()1组织结构为3K_8i;2Bt()电数据保存12掉O年;()0310亿次以上的读写次数;()写数据无延迟;4低,写数据功耗大等不足.铁电存储器FRAM的出现为以上问题的解决提供了很好的方案,RFAM既具有与RAM类似的性能,有与ROM一样的非又易失性.它克服了以上两种存储器的缺陷且合并了它们的优点,它是一种全新的非易失性随机存取存(5)兼容符合JDE3K_8iEC2BtSRAM_amp;EPOM管脚;ER()6存取时间7n,0s周期时间为10s4n;()作电压3O36V;7工._.5铁电存储器FRAM在12导心电图机中的应用维普资讯第2期罗予东:铁电存储器FAM在1R2导心电图机中的应用数后才能改变.95()耗低,态电流小于1A,写电流小8功静5读于1mA.0()R3SAM在检测VD低于某一水平时会禁DF1L8原理框图如图1所示.M80—止用户对存储器操作,FAM则不管VD电压而RD如何,用户都可以对其进行访问,这也存在一个问题就是在VDD降低到一定水平后,用户写入数据的咭=…嚣r醒—=-璺壁=缱—引脚名称功能描述粤可靠性无法保证,以在电压超出正常的工作范围所之外时,户应停止对存储器的操作用3F80M1L8与T3021MS2F82的接口技术T3021MS2F82是TI司近年推出的一款具公有很高性能的DP芯片,采用高性能的静态S它CMOS技术,2位的CU内核,3P最高工作主频能达到105MHz具有18字的片上FAS两个串,2KLH,口,6路112位的ADC模块,富的口线资源和片丰内外设使其具有很强的控制能力并兼有DSP强大的数据处理能力.但由于外围RAM读...