IGBT模块认证测试规拟制：广文日期：2011-03-07明日期：__________董瑞勇日期：__________测试部测试规英威腾电气股份测试部规编码：版本：V2.0密级：机密生效日期：2011.3页数：40页更改信息登记表规名称：IGBT模块认证测试规规编码：版本更改原因更改说明更改人更改时间V2.0规升级新拟制测试工程，升级原测试工程容及标准。广文2011.3.7评审会签区：人员签名意见日期董瑞勇吴建安唐益宏林金良波目录1.目的42.围43.定义44.引用标准55.测试设备66.测试环境67.测试工程77.1规格参数比对77.2封装构造测试87.2.1封装外观检查87.2.2封装外形尺寸测试97.2.3基板平整度测试97.2.4封装部构造测试117.3晶体管电特性测试127.3.1集-射极耐压VCES测试127.3.2IGBT集-射极饱和压降VCE(sat)测试137.3.3IGBT栅-射极阀值电压VGE(th)测试147.3.4IGBT置二极管正向压降VF测试157.4Ices和IR测试167.5绝缘耐压测试187.6高温电应力老化测试207.7上下温老化测试217.8NTC热敏电阻特性测试227.9驱动波形测试227.9.1驱动波形质量测试237.9.2开通关断时间测试257.9.3驱动电压幅值测试267.9.4死区时间测试277.10限流测试287.11均流测试297.12短路测试307.13温升测试347.14IGBT晶元结温测试368.数据记录及报告格式40IGBT模块认证测试规1.目的检验IGBT模块各项性能指标是否满足标准和产品设计要求。本规主要从IGBT构造、电气性能、可靠性等方面全面评估IGBT模块各项性能指标。2.围本规规定的IGBT模块性能测试方法，适用于英威腾电气股份IGBT模块器件选型认可及产品开发过程中IGBT模块单体性能测试。3.定义绝缘栅双极型晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)：是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大。MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。IGBT伏安特性：指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似，分为饱和区、放大区和击穿特性三局部。在截止状态下的IGBT，正向电压由J2结承当，反向电压由J1结承当。如果无N+缓冲区，那么正反向阻断电压可以做到同样水平，参加N+缓冲区后，反向关断电压只能到达几十伏水平，因此限制了IGBT的某些应用围。IGBT转移特性：指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性一样，当栅源电压小于开启电压Ugs(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大局部漏极电流围，Id与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最正确值一般取为15V左右。IGBT开关特性：指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT处于导通态时，由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿构造，但流过MOSFET的电流成为IGBT总电流的主要局部。通态电压Uds(on)可用下式表示：Uds(on)＝Uj1＋Udr＋Id*Roh式中：Uj1—JI结的正向电压，其值为0.7～1V。Udr—扩展电阻Rdr上的压降。Roh—沟道电阻。通态电流Ids可用下式表示：Ids=(1+Bpnp)*Imos式中：Imos—流过MOSFET的电流。由于N+区存在电导调制效应，所以IGBT的通态压降小，耐压1000V的IGBT通态压降为2～3V。IGBT处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。平整度：物体外表凹凸不平及厚薄不均的程度。热阻〔ThermalResistance〕：在热平衡条件下，两规定点〔或区域〕之间温度差与产生这两点温度差的耗散功率之比。结壳热阻为半导体器件结温和管壳规定点的温度差与器件耗散功率之比，散热器热阻为散热器上规定点和环境规定点温度的差与产生这两点温差的耗散功率之比。紧固力〔TightenPressure〕：保证电力半导体器件与散热器具有良好热接触的组装压力/力矩。4.引用标准GB02900.32-1994-T电工术语电力半导体器件GB04586-1994-T半导体器件分立器件第8局部：场效应晶体管GB04587-1994-T半导体分立器件和集成电路第7局部：双极型晶体管GB04589.01-2006半导体...