学习资料晶体结构一．（9分）下图所示为HgCl和不同浓度NH－NHCl反应得到的两种含汞的化合物A423和B的微观结构重复单元图。1ABB的生成反应方程式；．写出的化学式和、2ANHCl的堆积方式是否相同，为什么？．晶体、中，33AHg占据什么典型位置，占有率是多少？中．晶体4B中阴阳离子组成特点；．指出5AB在水溶液中溶解性的大小。．比较和二．（14分）钛酸锶是电子工业的重要原料，与BaTO相比，具有电损耗低，色散频率3高，对温度、机械应变、直流偏场具有优良稳定性。因此可用于制备自动调节加热元件、消磁元器件、陶瓷电容器、陶瓷敏感元件等。制备高纯、超细、均匀SrTiO的方法研究日益3受到重视。我国研究者以偏钛酸为原料常压水热法合成纳米钛酸锶，粒子呈球形，粒径分布较均匀，平均22nm。已知SrTiO立方晶胞参数a＝390.5pm。31．写出水热法合成纳米钛酸锶的反应方程式；＋－22ccpSrO2SrTiO）在一起进行（面心）立方最密堆积（．，晶体的结构可看作由和3它们的排列有序，没有相互代换的现象（即没有平均原子或统计原子），它们构成两种八面－－＋－＋22242OTiOSrO构成的八面体构成，另一种由一起构成，体空隙，一种由和只填充在空隙中。＋－＋224SrO1SrTiOTi○球）用小球，的一个晶胞（用大用大球，（）画出该3＋4Ti2的空隙占据所有八面体空隙的几分之几？（）容纳＋4Ti3倾向占据这种类型的八面体空隙，而不是占据其他类型的八面体（）解释为什么空隙？－＋＋－2242OSrOTi4半径的理由（已知进行立方密堆积的是（而不是）通过计算说明和140pm）为322nm（直径）粒子的质量，并估算组成原子个数。．计算＋1个NH和Cl为CsCl型结构，晶胞中包含1．三（10分）NH44－在密和HgCl＝387pm。把等物质的量的NHCl个Cl，晶胞参数a24、419pma＝b＝封管中一起加热时，生成NHHgCl晶体，晶胞参数34。＝794pm（结构如右图）c＋－NH（视为球形离子）的半径。181pm1．已知Cl半径为，求4晶体的密度；NH2．计算HgCl34－＋＋2具体配位形式；的3．指出Hg和NHCl4－－ClCl4．通过具体计算，指出晶体中与之间的最短距离是多少？仅供学习与参考．学习资料四．（8分）金属铜的理想堆积模型为面心立方紧密堆积（CCP），设它的边长为acm。在晶---本文来源于网络，仅供参考，勿照抄，如有侵权请联系删除---体中与晶胞体对角线垂直的面在晶体学中称为（1,1,1）面。1．请画出金属铜的晶胞（○表示Cu原子），并涂黑有代表性的1个（1,1,1）面上的Cu原子。2．计算（1,1,1）面上Cu占整个面积的百分率以及Cu占整个体积的百分率（给出计算过程）。3．在1个盛有CuSO溶液的电解槽内电镀铜，其中阴极经过特殊处理，只有1个（1，42，电镀时电流恒）面暴露在电解质溶液中，其余各面均被保护。假设此面面积为bcm1，1＋2在此面上做恒速率均匀沉积，tmin后，有一层CuCu原子恰好在阴极上沉积完毕，为I。求这是已沉积的第几层Cu原子？（阿伏加德罗常数为N，法拉第常数为F）A五．（10分）某钠盐X的阴离子为正八面体构型，由7个原子70个电子组成。X晶体＋－的结构有如下特点：阴离子的空间排列方式与NaCl晶体中的Na（或Cl）的排列方式完＋全一样，而Na占据其全部四面体空隙中。1．确定阳离子、阴离子个数比；2X的化学式；．确定3XacmXMg/molX密度的表，，写出的摩尔质量为．如果晶体的晶胞参数为）（（）X达式；＋＋－ClCsCl4XNaCs）的排列方式是否完全．晶体中的晶体中的空间排列方式与（或＋Na形成的空隙中，那么占有率为多大？一样？如果将阴离子看作由＋●Na5表示）如果晶胞的坐标原点为请画出该晶胞全部阴离子的空间构型（阴离子用．，＋6YXK填充在全部八面体．某钾盐相似，而的阴离子组成和在晶胞中的排列方式与Y的化学式。空隙中，写出六．（5分）NaO为反CaF型结构，晶胞参数a＝555pm。22＋－2140pmO1Na；半径为的半径（已知．计算）2．计算密度。分）点阵素单位是指最小的重复单位，将最小重复单位的内（8七．2容用一个点阵表示，最小重复单位中只含一个点阵点，称为素单位。含画出素单位的关键是能按该单位2个以上点阵点的单位称为复单位。个或某平面周期性结构系按右图单位重重复，与单位预角上是否有圆圈...