光刻材料的发展及应用_庞玉莲（北京师范大学化学学院，北京１００８７５）光刻材料的发展及应用庞玉莲，邹应全＊摘要:简述了光刻技术及光刻材料的发展过程及发展趋势，对光刻技术在集成电路和半导体分立器件的微细加工以及印刷电路板、平板显示器、触摸屏等制作过程中的应用进行了概述。并重点围绕光刻胶在集成电路制造中的应用，对其反应机理、应用性能等进行了阐述。同时还对光刻材料的市场特别是中国市场的现状及前景做了一定分析。关键词:光刻技术；光刻材料；光刻胶；抗蚀剂；市场前景:ＴＱ３１文献标识码:Ａ：１００９－５６２４（２０１５）０１－００３６－１６1引言光刻技术（Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）是指利用光刻材料（特指光刻胶）在可见光、紫外线、电子束等作用下的化学敏感性，通过曝光、显影、刻蚀等工艺过程，将设计在掩膜版（Ｍａｓｋ）上的图形转移到衬底上的图形微细加工技术。光刻技术最早应用于集成电路和半导体分立器件的微细加工。光刻技术是现代半导体、微电子、信息产业的基础，在平板显示、发光二极管、先进封装、磁头及精密传感器等泛半导体行业也有着广泛的应用。光刻技术发展水平直接决定了上述产业的发展水平，伴随着每一代光刻技术的出现，都会对相关产业带来翻天覆地的变化。近年来，虽然光刻技术已经逐渐接近其物理极限，以及有新的潜在替代技术（如Ｎａｎｏ－ｉｍｐｒｉｎｔ）的出现，但是光刻技术在微细加工中的主导地位仍无法被撼动，并表现出强大的生命力。光刻技术的发展离不开光刻材料的发展，光刻材料的发展在一定程度上决定了光刻技术的发展与应用。光刻材料（特指光刻胶），又称光致抗蚀剂，是光刻技术中涉及的最关键的功能性化学材料，这类材料具有光（包括可见光、紫外线、电子束等）化学敏感性，经光化学反应，本身在显影液中的溶解性发生变化。跟据光化学反应机理不同，光刻胶分为正性光刻胶与负性光刻胶：曝光后，光刻胶在显影液中溶解性增加，得到与掩膜版相同图形的称为正性光刻胶；曝光后，光刻胶在显影液中溶解性降低甚至不溶，得到与掩膜版相反图形的称为负性光刻胶。两种光刻胶都有各自不同的应用领域，通常来讲，正性光刻胶用的更为普遍，占到光刻胶总量的８０％以上。2光刻技术及光刻材料的发展自２０世纪５０年代开始到现在，光刻技术经收稿日期：２０１４－１１－２８作者简介：邹应全（１９６４－），男，教授，主要从事信息记录材料研究。Ｅ－ｍａｉｌ：ｚｏｕｙｑ＠２６３．ｎｅｔ３６DOI:10.16009/s://wwsodocs/doc/491804237813-1295/tq.2022.01.001本文：网络收集与整理，如有侵权，请联系作者删除，谢谢！