可控硅损坏原因及关断与导通性能诊断仪研究可控硅损坏原因及关断与导通性能诊断仪研究［摘要］单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下市关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断,只能寵公除负载或降低其两端电压使其关断，目前主要采用的是万用表测试法：可控硅是三端半导体器件，依据PN结“正向导通，反向截止”的单向导电的特性，可用万用表欧姆档来测试可控硅三个电极之间的阻值，就可以初步判断可控硅的好坏，本文章公开一种单项可控硅关断与导通性能诊断仪，其可以进行测试大小不一的可控硅，其测试步骤简单，测试效果准确，同时简单列举几项容易导致可控硅损坏的原因，对于正确判断可控硅导通故障并排除故障有着一定的指导意义。［关键词］可控硅、损坏、诊断仪结构中图分类号:R443+.8文献标识码：A文章编号:1009-914X（2014）27-0110-011内容1・1可控硅简介单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备,可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。1.2容易导致可控硅损坏的原因（1）设备在运行时负载开路：当设备正在大功率运行时，如果突然负载处于开路状态，将在输出端形成高压，会烧坏可控硅元件。（2）设备在运行时负载短路：当设备正在大功率运行时，如果负载突然处于短路状态，将对可控硅有一个很大的短路电流冲击，若过电流保护动作不不及保护，将烧坏可控硅元件。（3）电抗器故障：电抗器内部打火造成逆变侧的电流断续，也会在逆变输入侧产生高压烧坏可控硅。另外，如果在维修中更换了电抗器，而电抗器的电感量、铁芯面积小于要求值，会使电抗器在大电流工作时，因饱和失去限流作用烧坏可控硅。（4）保护系统故障（保护失灵人可控硅能否安全，主要是靠保护系统來保证的，如果保护系统出现故障，设备稍有一点工作不正常，将危及到可控硅安全。所以，当可控硅烧坏时对保护系统的检查是必不可少的。（5）脉冲触发凹路故障：在设备运行时如果突然丢失触发脉冲，将造成逆变开路，中频电源输出端产牛高压，烧坏可控硅元件。这种故障一般是逆变脉冲形成输出电路故障，可用示波器进行检查，也可能是逆变脉冲引线接触不良，可用手摇晃导线接头，找出故障位置1・3解决可控硅的误触发可控硅触发电压过低，触发电流过小，可控硅触发困难，这不是我们所希望的，但是触发电压过高，触发电流过大，又容易引起可控硅的误触发即抗干扰能力吃，这又是我们要避免的，解决方法如下，（1）尽量避免电感元件靠近可控硅控制回路，（2）屏蔽可控硅控制极电路,（3）在可控硅阴极与控制极之间并联一只电容，（4）在控制极加上反向偏置电压。1.4判断可控硅好坏的方法目前主要采用的是万用表测试法：可控硅是三端半导体器件，依据PN结“正向导通，反向截止”的单向导电的特性，可用万用表欧姆档來测试可控硅三个电极Z间的阻值，就可以初步判断管子的好坏。1.5新型诊断仪的结构单项可控硅关端与导通性能诊断仪的结构主要包括触发电路、检测电路和断路器，触发电路上设有第一转换开关、变压器、桥堆，断路器火线通过笫一转换开关与变压器一次侧火线端子连接，断路器零线与变压器一次侧零线端了连接，变压器二次侧与桥堆交流侧分别连接，桥堆直流侧止极与可控硅门极连接，桥堆直流侧负极与可控硅阴极连接，检测电路包括第二转换开关、直流电源、电位器、灯泡，断路器火线通过第二转换开关与直流电源火线连接，直流电源输出的直流电正极通过电位器与可控硅阳极连接，断路器零线与直流...