Flash存储器W25Q16JVSNIQ替换M25P16的可行性研究江旅锐摘要在工程机械电控系统开发过程中，由于原用Flash存储器M25P16停产，对电控系统存储功能的开发带来了消极的影响。本文通过实验，对Flash存储器W25Q16JVSNIQ与M25P16的存储功能性能进行对比测试，研究Flash存储器W25Q16JVSNIQ是否可以替代M25P16进行使用。关键词Flash存储器;W25Q16JVSNIQ;M25P16;可行性：TG44文献标识码：ADOI：10.19694/jki.issn2095-2457.2020.19.0630引言Flash存储器W25Q16JVSNIQ为空间有限的系统提供了存储解决方案，25Q系列提供的灵活性和性能远远超过普通的串行闪存设备。随着Flash存储器M25P16的停产，W25Q16JVSNIQ的使用价值得到越来越多的重视，且二者的封装完全相同，因此，在替换方案的便利性上具备一定的优势。但行业内对使用Flash存储器W25Q16JVSNIQ替换M25P16的可行性缺乏研究，本课题的研究，为使用Flash存储器W25Q16JVSNIQ替换M25P16的可行性提供必要的数据支撑，具有重要的理论意义和工程应用价值。1实验方法通过焊接手段将Flash存储器安装在电控系统主控制器电路板上，主要针对Flash存储器W25Q16JVSNIQ和M25P16的擦除数据（包括全片擦除和Sector擦除）、写数据和读数据等基本功能性能进行对比测试，各项操作指令均由控制器发出。系统电路连接示意图如图1，实验环境温度为23.6℃，湿度为90.1%，测试流程如图2。本文针对Flash存储器W25Q16JVSNIQ和M25P16的基本存储功能性能进行试验，为减少误差，提高试验的准确性，先对M25P16进行测试，每次试验进行3次，然后取3次试验结果的平均值，完成测试后，将M25P16替换为W25Q16JVSNIQ，按照相同的测试过程、测试要求进行测试。2结果与讨论经验证，Flash存储器W25Q16JVSNIQ和M25P16的读数据、写数据和擦除数据功能正常，完成各功能操作的时间记录如表1。从表1可以得出，Flash存储器W25Q16JVSNIQ在完成读数据和擦除数据功能的平均使用时间与M25P16基本保持一致，误差保持在±0.5s内，對全片数据或32个Sector数据进行写操作时，速度较慢，平均使用时间接近M25P16的2倍。3结论在存储功能方面，外扩Flash存储器W25Q16JVSNIQ与M25P16的读数据、写数据和擦除数据功能指令相同，可以相互兼容;在工作速率方面，对执行读数据和擦除数据的指令时，速率相当，对执行写入全片数据（或32个Sector数据）指令时，Flash存储器W25Q16JVSNIQ的速率相对较低，但属于可视差距。因此，若对写入全片数据（或32个Sector数据）的速率无严苛要求的前提下，外扩Flash存储器W25Q16JVSNIQ可代替M25P16进行使用。参考文献[1]刘岐，沈鸣杰，董艺.电离总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久与数据保持特性的影响研究[J].航天器环境工程，2019，36（03）：264-270.[2]李远哲，贺海文，万丽，李妍，赵峰.嵌入式系统大容量NANDFlash存储器分区管理设计[J].计算机测量与控制，2019，27（02）：212-215+220.[3]郭慧莹.Flash存储器并行耐久测试方案研究[J].科技创新导报，2019，16（11）：148-149.-全文完-