滚筒刷状ZnO纳米结构宏观体制备和表征摘要：用简单的气相输运方法，在温度为900°C的条件下首次合成了滚筒刷状的ZnO纳米结构宏观体，并对其结构和形貌分别进行了表征。关键词：气相输运；滚筒刷状；ZnO纳米结构宏观体：TB383.1文献标识码：A：1006-8937(2013)05-0042-02ZnO是一种宽禁带半导体，因具有较大的激子束缚能，在光电子器件有较大的应用潜力。最近出现的纳米环、纳米带、纳米花、纳米桥、纳米塔等不同形貌的纳米结构成...
ZnO/g-C3N4纳米复合材料光催化降解污染物研究进展徐畅，徐晴川，张晓明，王国宏裏(湖北师范大学稀有金屈化学湖北省协同协创新中心，湖北黃石4加2)摘要：ZnO/g-C3N4纳米复合材料可促进电子-空穴的有效分离，有较大的比表面积，有利于污染物和自由基的扩散和传质，电子可从g-C3N4的导带转移到ZnO的导带上，而空穴可从ZnO的价带转移到g-C3N4的价带上，从而提高复合材料在可见光下的光催化性能，因而ZnO/g-C3N4纳米复合材料在光催化...
内蒙古师范大学学报（门然科学汉文版）V。】・0N。・JournaloInnerongo1aormaIniverstyNaturalScencediion）Sept・2011纳米zn0的制备、改性及光催化研究进展邹彩琼，贾漫珂，曹婷婷，罗光富，黄应平(三峽大学三峡库区生态环境教育部工程研究中心，湖北宜昌443002)摘耍：归纳了ZnO的物理化学基本特性，简述了ZnO的光催化反应机理，重点介绍了ZnO光催化剂的制备方法、应用及改性研究现状，同时分析了冃前ZnO光催化技术需要解决的...
华中科技大学电子科学与技术系电子器件制备工艺课程设计（论文）固相法制备压敏电阻(ZnO)班级:电子1307学号:U201314003姓名:仲世豪专业:电子科学与技术指导老师:邱亚琴二零一五年---本文来源于网络，仅供参考，勿照抄，如有侵权请联系删除---摘要本文以金属离子盐为原料,采用400r/min转速球磨机球磨成掺杂ZnO前驱物,将其在700℃下预烧2小时,得到掺杂ZnO粉体,并用此粉体制备了片式ZnO压敏电阻。借助压敏...
掺杂T元素对ZnO压敏陶瓷电性能的影响——第二实验小组摘要：研究了Ti元素的不同掺杂量对氧化锌压敏陶瓷的显微结构和电性能的影响。发现了掺杂Ti元素可降低压敏陶瓷的压敏电压，增大非线性系数。这主要与Ti元素可促进晶粒生长有关。关键词：ZnO压敏陶瓷微观结构晶粒生长压敏电压压敏电阻陶瓷材料是指在一定温度下和某一特定电压范围内具有非线性伏安特性、其电阻随电压的增加而急剧减小的一种半导体陶瓷材料。根据这...
范德堡方法在ZnO薄膜测试中的应用朱俊杰1,刘磁辉1,林碧霞心，谢家纯1,傅竹西1,23扌商要:近年来，随着对宽禁带半导体材料，氧化锌薄膜研究的快速发展,对其电学性质的研究也显得尤为重要。主要介绍范德堡方法在加)簿膜电学性质测杲中的应用，并对初步测最结果作简要的讨论。尖键词：范徳堡方法；加)膜簿；欧姆接触；霍尔效应中图分类号：047213文献标识码：A1引言ZnO是一种宽禁带半导体材料，在室温下的禁带宽度为3137eV,具有广泛...
.word可编辑.半导体ZnO单晶生长的技术进展3李新华1,2,徐家跃1(1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050;2.中国科学院研究生院,北京100039摘要:ZnO单晶是一种具有半导体、发光、压电、电光、闪烁等性能的多功能晶体材料。近年来,它在紫外光电器件和GaN衬底材料等方面的应用前景而使其成为新的研究热点。本文综述了ZnO单晶助熔剂法、水热法、气相法等生长技术的研究进展,结合ZnO单晶的化学结构,探讨了该晶体的结晶习性及生长技术...
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ZnO晶体在辐射探测领域的应用现状及潜力#严俊1，张清民1，张景文2，张家文3，孟鹂2**510152025303540（1.西安交通大学能源与动力工程学院核科学与技术系，西安710049；2.西安交通大学电信学院，西安710049；3.核探测与核电子学国家重点实验室，北京100049）摘要：ZnO晶体是一种宽禁带半导体材料,具有强的抗辐照特性。掺杂对ZnO晶体的光输出和光衰减时间改善很大，当掺杂Ga后，其光衰减时间可达0.4ns，光产额可达15000光子/MeV，...
ZnO微结构调控及其光学性能的研究摘要：氧化锌不同形貌的合成与控制可以通过一个简单的溶剂热反应来实现，其中乙醇作溶剂，酒石酸做添加剂。通过控制酒石酸的加入量，可以有效地控制ZnO的形貌、尺寸以及到更复杂结构的转变。同时提出了不同形貌ZnO可能的生长机制，并利用FTIR谱进一步证实了酒石酸对ZnO生长的影响。另外，由光致发光光谱可以看出，不同的ZnO形貌，发光性能会有所不同，总体上说，所得ZnO的发光区域主要集中在紫...
