第4章半导体中载流子的统计分布在一定温度下，并且没有其它外界作用时，半导体的自由电子和自由空穴是依靠电子的热激发作用而产生的。一方面对于理想半导体材料，电子从价带跃迁到导带。对于掺杂半导体，从价带跃迁到导带外，还有电子从施主能级跃迁到导带，电子从价带跃迁到受主能级。电离能。同时，电子从高的能量状态跃迁到低的能量状态，并向晶格放出一定的能量，使导带中的电子和价带中的空穴不断减少。成为载流子的复合。...
热载流子效应和其对器件可靠性影响探究摘要：该文主要阐述了热载流子效应产生的物理机制及器件的退化，进一步介绍了在JEDEC标准中，对可靠性模型寿命计算做出的规范下，目前使用的三种寿命计算模型：衬底电流模型，Vd模型，Isub/Id模型(即：胡模型)，基于这些模型对器件寿命的估算，将为集成电路设计中器件优化与工艺改进提供重要参考信息。关键词：热载流子；可靠性模型；寿命；JEDEC标准中图分类号：TP3文献标识码：A文章编号...
