CMP过程磨粒压入芯片表面深度的影响因素分析蒋建忠】袁晓林？赵永武I1.江南大学，无锡，2141222•常州轻工职业技术学院，常州，213004摘要：根据芯片/磨粒/抛光盘三体接触当童梁的弯曲假设•建立了更加准确合理的CMP过程磨粒压入芯片表面深度的理论模型。新模型包含了更加丰富的信息，包括歴粒的直径、磨粒的浓度、磨粒的密度、抛光盘的弹性模量、芯片的表面硬度•特别是磨粒的浓度和密度的彭响，在前人的模型中往往被忽视。最...
