掺杂T元素对ZnO压敏陶瓷电性能的影响——第二实验小组摘要：研究了TI元素的不同掺杂量对氧化锌压敏陶瓷的显微结构和电性能的影响。发现了掺杂TI元素可降低压敏陶瓷的压敏电压，增大非线性系数。这主要与TI元素可促进晶粒生长有关。关键词：ZnO压敏陶瓷微观结构晶粒生长压敏电压压敏电阻陶瓷材料是指在一定温度下和某一特定电压范围内具有非线性伏安特性、其电阻随电压的增加而急剧减小的一种半导体陶瓷材料。根据这...
第7章基于TMS320F2812的永磁同步电动机控制例1、空间矢量算法实现SVGEN_DQ对象结构体定义typedefstruct{_iqUalpha;//输入：轴参考电压_iqUbeta;//输入：轴参考电压_iqTa;//输出：参考相位a开关函数_iqTb;//输出：参考相位b开关函数_iqTc;//输出：参考相位c开关函数void(*calc)();//函数指针}SVGENDQ;typedefSVGENDQ*SVGENDQ_handle;SVGEN_DQ模块调用方法：main(){}voidinterruptperiodic_interrupt_isr(){svgen_dq1.Ualpha=Ualp...
ZigBee四种绑定方式在TIZ-Stack中的应用BINDINGKuangJunBin：本文是作者根据TIZ-Stack开发文档，ZigBeeSpecificaTIon-2007，《ZigbeeWirelessNetworking》等英文资料整合和翻译而成，采用中英双语对照方便读者理解，文中翻译不当之处，望广大同行不吝赐教。推广ZigBee技术，提高国内电子行业的国际影响力，是我们无线通讯工程师的愿景。本文欢迎转载，请保留作者信息和出处，作为支持我继续努力前行的动力，谢谢！E-mail:kuangj...
IF钢多道次变形静态再结晶研究TI-光1,徐楚韶2,赵嘉蓉1,刘显军1,熊俊伟1徐(11武汉科技大学材料与冶金学院,湖北武汉430081;21重庆大学材料科学与工程学院,重庆400044)摘要:在热模拟实验机上进行了TI-IF钢多道次铁素体区变形实验,采用后插法确定了静态再结晶分数。在实验的基础上建立了超低碳TI-IF钢多道次铁素体变形时静态再结晶动力学模型。研究结果表明,建立的超低碳TI-IF钢多道次铁素体变形静态再结晶动力学模型与实验结果吻合...
原位生成TIBwTI复合材料的微观组织及高温压缩变形过程的演化规律MicrostructureoftheinSituTIBwTICompositeanditsEvoluTIonDuringHotDeformaTIon张杰,翟瑾蕃(哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,哈尔滨150001ZHANG激e,ZHAI激n2fan(SchoolofMaterialsScienceandEngineering,HarbinInsTItuteofTechnology,Harbin150001,China摘要:用粉末冶金原位合成法制备了TIB晶须增强钛基复合材料。利用扫描电镜和X射线衍射方法对经...
V、TI合金化对玻璃模具材料抗氧化及耐热疲劳性的影响吴进钱，黄新民，杨明，韩和兵，曹钧力（合肥工业大学材料科学与工程学院，安徽合肥230009）摘要：通过测试不同V/TI比条件下蠕墨铸铁玻璃模具材料的抗氧化及热疲劳性能，研究了蠕墨铸铁的钒、钛合金化工艺，并探讨了影响这些性能的因素。结果表明，在V、TI变化范围内，V/TI比为1.63时蠕墨铸铁具有较均匀的铁素体基体+蠕虫状石墨组织，以及良好的热物性。关键词：蠕墨铸铁；玻...
算算一不小心毕业已经五年了，而我在TI研发部门工作实际已经超过6年了。回想起当年来TI的经历也是记忆犹新啊。校园1TI在半导体行业还是听起来很高大上的，当年刚考到西电读研的时候就听实验室的师兄介绍说半导体行业中十大牛逼的设计公司，什么Intel、FreeScale、TI、AMD、Marevell等等，其中就说AMD最容易进，Intel和TI最难进。那时就特别羡慕，想着要是毕业能进TI就爽了。海思实习2后来一年多就把学分拿完开始找实习，想看看T...
2016年湖南省大学生电子设计竞赛，由长沙理工大学承办。全省共有30所高校的272个队810名学生参赛。经专家评审，我厅审定，全省共有189个参赛队获奖，其中，一等奖33队、二等奖35队、三等奖38队、优胜奖83队(获奖名单见附件6)。湖南大学、长沙理工大学、南华大学、湖南理工学院、湖南工程学院、怀化学院获优秀组织奖。2016年湖南省大学生电子设计竞赛获奖名单一、封闭赛序号学生姓名指导教师所在学校选题获奖等级1林...
