CMOS闩锁效应探究和其几种预防措施摘要：目前以CMOST艺为基础的集成电路制造方式已经成为当今集成电路产业的主导技术，但早期的CMOS电路由于无法有效预防闩锁效应而并未为人们所接受。文章先对一个CMOS反相器以及它的工作原理进行了详细的介绍,进而在CMOS反相器的基础上对CMOS电路中闩锁效应的产生机理做了充分的分析，提取了用于分析闩锁效应的集总器件模型，并且获得了闩锁效应的产生条件。通过对闩锁效应内部原理的认识，我...
一种CMOS动态闩锁电压比较器的优化设计李建中1,2，魏同立1（1.东南大学微电子中心，南京，210096；2.解放军理工大学通信工程学院，南京，210007）摘要：提出了一种应用于PipelineADC和Sigma-DeltaADC中改进的动态闩锁电压比较器。采用0.35μmCMOSN阱工艺设计，工作于2.5V单电源电压。通过详细的分析和优化，使比较器具有较小的输入失调电压和踢回噪声，仿真结果表明它的输入失调电压分布范围为28.6mV，最高的工作达200MHz、功耗...
