工业和信息化部2019年第三批推荐性国家标准制修订计划（征求意见稿）工业和信息化部科技司二○一九年六月2019年第三批推荐性国家标准制修订计划汇总表申报部门行业合计性质制修订标准类别采用国际和国外先进标准数重点项目强制推荐指导制定修订节能与综合利用工程建设安全生产产品类标准样品合计400400373000400346电子信息司40电子400400373000400346目录电子行业标准项目计划表................................................
PN结正向伏安特性曲线随温度的变化PN结正向伏安特性曲线随温度的变化6物理实验第23卷第lO期PN结正向伏安特性曲线随温度的变化胡险峰摘朱世国(川大学物理学院四川成都606)四104要：绍了在不同温度下，N结正向伏安特性曲线的自动测量方法。论了P结伏安特性与温度的关介P讨N系.由于正向结电压小于内建电势差，度升高或正向结电压增加，向结电流将增大，度升高反向结电流也相温正温应增加.当温度趋向O时。向结电压趋向内建电势差.K...
PN结势垒（barrierofp-njunction）中国百科物理广泛的阅读有助于学生形成良好的道德品质和健全的人格，向往真、善、美，摈弃假、恶、丑;有助于沟通个人与外部世界的联系，使学生认识丰富多彩的世界，获取信息和知识，拓展视野。快一起来阅读PN结势垒(barrierofp-njunction)中国百科物理吧~PN结势垒（barrierofp-njunction）PN结势垒(barrierofp-njunction)PN结的空间电荷区中，存在由n边指向p边的自建电场。因此，...
半导体PN结的物理特性研究netnet毕业设半导体PN结的物理特性研究(net)毕业设计毕业论文ASPVBJSPJAVAASPDELPHIsqlaccess论文2010年12月11日得到C=exp(19.4±0.1)，而Uo=1.43±0.05V，得到禁带宽度E=eUo=1.43±0.05eV2．研讨PN结二极管反向饱和电流与温度的关系。13I/μAU1/V3摄氏温度0.51911．0.99997；2.。0.99889；3。0.99990；4。0.999995．研究半导体的测温原理。第2组的数据k=1.3763*10230.4030.4838这个丈量办...
一个半导体PN结从未提及问题探析摘要：PN结是半导体技术的关键所在，它又称为内电场,具有一定的电位差，但为什么做成二极管后在它的两端却没有电压呢？这个问题在所有的模电书籍上都未提及。本文针对这个问题进行分析探讨。Abstract：PNagglomerate,whichisalsocalledinternalelectromagneticfieldandhascertainvoltage,isthekeytothesemiconductortechnique.Buttherearenotvoltageatbothendswhenitismadeintoadiode・Notoneana...
