太阳能逆变器中IGBT和MOSFET技术解析⑴2014-09-2320:30:35來源:互联网关键字：太阳能逆变器IGBTMOSFET发展逆变器技术是太阳能应用提出的要求，木文介绍了太阳能逆变器的原理及架构，着重介绍了1GBT和MOSFET技术，实现智能控制是发展太阳能逆变器技术的关键。一、太阳能对逆变器的要求通过太阳能光伏技术将太阳辐射转换成电能是现在市而上最有效也是最具发展潜力的可再生能源技术。现在，普通A阳能光伏系统都是由许多紧密相连的...
MOSFET负反馈放大电路1设计主要内容及要求1.1设计目的（1）掌握MOSFET负反馈放大电路的构成、原理、与设计方法；（2）熟悉模拟元件的选择、使用方法。基本要求1.2（1）空载放大增益10倍，带宽>10kHz；?16??1M；，输出电阻（2）输入电阻>（3）两级以上放大环节。发挥部分1.3（1）带宽>100kHz；（2）差分式放大输入级；（3）其他。2设计过程及论文的基本要求2.1设计过程的基本要求（1）基本部分必须完成，发挥部分可任选2个方向；...
BJT与MOSFET单管放大器浅析任永浩1301100821王艳1301100828夏星星1301100831摘要我们将介绍金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）以及双极型晶体管（BJT）,这两类晶体管都有独特的特征和应用范FfloMOSFET^无疑问是应用最广泛的电子器件.CMOS是集成电路的首选技术，然而，BJT仍然是一个匝要的器件，CMOS电路加入BJTJU性能会更优越。我们会对这两种类型的电路做一个比较，讨论这两类晶体之间的差别，进一步了解这两类晶体管。关键...
三极管大总结IGBT定义：IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来...
低损耗的IGBT／MOSFET并联开关在开关电源中的应用通信电源技术《技术研究l薯略审拿々拿0拿搴搴,,低损耗的IGBT/MOSFET并联开关在/6/开关电源中的应用羔摘.构使用MOSFET(或IGBT)的损耗,给出了在产品中的使用效果.关键词薹递茎坚差Q§E量!旦王1引言为了提高开关电源的效率,减小体积和重量,一些制造商趋向于采用谐振,准谐振等软开关技术,使开关管在零电压(ZVS)或零电流(ZCS)时开关,降低开关损耗,提高开关频率.但其使用效果并不十分...
