是的，在低压下igbt相对MOS管没任何优势（电性能上没有，价格上更没有，所以你基本上看不到低压igbt，并不是低压的造不出来，而是毫无性价比）。在600v以上，igbt的优势才明显，电压越高，igbt越有优势，电压越低，MOS管越有优势。开关速度，目前MOS管最快，igbt较慢，大概慢一个数量级（因为igbt原理是MOS管驱动三极管，MOS要先导通然后导通电流驱动三极管导通，三极管导通比MOS慢很多）。导通压降，一般低压MOS管使用都控制在...
三极管大总结IGBT定义：IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来...
