IGBT与晶闸管电气专业IGBT和可控硅的区别两者都是开关元件，IGBT驱动功率小而饱和压降低。前者可高频率开关后者就差劲。前者价格高。有待完善.IGBT的栅极G和发射极E\发射极EsIGBTIGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，乂具有双极型器件饱和压降低而容竝大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管Z...
晶闸管控制变压器(TCT)原理及其控制保护RTDS试验分析摘要：晶闸管控制变压器(ThyristorControlledTransformer,TCT)式可控高抗属于基于变压器原理的可控并联电抗器中的重要形式，兼具分级调节式可控高抗响应速度快和磁控型可控高抗容量平滑调节的优点，即可作为线路高抗解决无功补偿和过电压抑制间的矛盾，又可作为母线高抗控制系统无功电压，在风电大规模集中接入的超/特高压及潮流变化剧烈但具有季节性特点的水电集中外送交流...
3125A7600V光控晶闸管的研制Developmentof3125A/7600VLightTriggeredThyristor高山城GAOShan-cheng曰赵涛ZHAOTao曰刘东UUDong(丙安电力电子技术研究所，丙安710061)(Xi*anPowerElectronicsResearchInstitute，Xian710061,China)摘要院木文详细分析了光控晶闸管设计原理。通过对特殊的门极结构和工艺设计，成功研制了在器件内部集成了光触发功能区、内部过压保护器、内置保护电阻，使其具有正向恢复保护和dv/dt保护功能的5英寸31...
JGWTS-01型小容量晶闸管直流调速系统实训考核装置一、概述该装置采用通用的小容量晶闸管直流调速电路，主电路为单相桥式半控结构，系统采用电压负反馈和电流正反馈控制，并具有电流截止负反馈环节和串联微分校正网络。该装置符合国家最新《职业标准》和中华人民共和国劳动与社会保障部最新颁发的“实训设备行业标准”，适合于各类中等职业技术学校。劳动培训及技能鉴定单位的教学培训和维修电工的中/高级实操考核和技能鉴定使用...
KK200A/600V,KK200A/800V,KK200A/1000V,KK200A/1200V,KK200A/1400V,KK200A/1600V,KK200A/1800V,KK200A/2000V,KK200A/2500V,KK200A/3000V,KK300A/600V,KK300A/800V,KK300A/1000V,KK300A/1200V,KK300A/1400V,KK300A/1600V,KK300A/1800V,KK300A/2000V,KK300A/2500V,KK300A/3000V,KK500A/600V,KK500A/800V,KK500A/1000V,KK500A/1200V,KK500A/1400V,KK500A/1600V,KK500A/1800V,KK500A/2000V,KK500A/2500V,KK500A/3000V,KK800A/600V,K...
晶闸管强触发电路设计_郭帆第32卷第6期核电子学与探测技术Vol．32No．62022年6月NuclearElectronics＆DetectionTechnologyJune．2022晶闸管强触发电路设计郭帆1，2，王海洋2，何小平2，周竞之2（1．西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室，西安710149；2．西北核技术研究所，西安710124）摘要：为了研究晶闸管在强触发下的导通特性，利用功率MOSFET的快开通特性和通流能力，设计了光纤控制晶闸管强触发电路。该电路中晶闸...
