第26卷第7期2005年7月半导体学报CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORSVol.26No.7July,2005运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应陆妩任迪远郭旗余学峰艾尔肯(中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011)摘要:对几种不同类型(TTL,CMOS,JFET2Bi,MOS2Bi)的典型星用运算放大器在不同剂量率(100,10,1及0101rad(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究.结果显示不同类型运放电路的辐照响应有明显差异:双极运放电路辐照剂...