DOI:10．13290/j．cnki．bdtjs．2014．02．009ISSG及其氮化工艺对栅氧化层性能的改善张红伟，高剑琴，曹永峰，彭树根(上海华力微电子有限公司，上海201203)摘要:栅氧化层的击穿和漏电是阻碍半导体集成电路发展的重要因素，提高栅氧化层的均匀性可极大地改善栅氧化层的性能。通过引入N2等惰性气体，在高温下对原位水汽氧化法形成的栅氧化层进行实时退火处理。实验结果表明:与没有经过高温N2实时退火处理的栅氧化层相比，经过高温...
