IGBT驱动电路及桥式可逆PWM电路研究SC3225芯片5脚锯齿波SC3225芯片13脚脉冲方波及其相关参数调Rw使输出最小负占空比矩形脉冲波形调Rw使输出最小正占空比矩形脉冲波形T1，T3和T2，T3输入矩形波及“死区”3
绝缘栅双极型晶体管测试方案编制：刘敏涛审核：批编号：准：发布日期：修订记录序号文件版本号修订（+/-）内容及说明修订人修订日期批准人12345678910目录1概述..............................................................................................................................................21.1编写目的.................................................................................................
IGBT可靠性测试方法IGBT的寿命通常长达数十年,因此倘若不采取特殊的测试手段而使器件在正常情况下工作直至失效是不现实的，寻求一种有效地测试手段就显得非常必要。通常的测试手段有加速寿命测试（HALT，HighLyAcceLeratedLifeTest），HASS（HighLyAcceLeratedStressScreen）、功率循环、温度循环几种。本文着重介绍功率循环和温度循环测试方法。1.功率循环测试在给定的温度和循环次数条件下，收集工作中器件的相关参数。在测试...
IGBT的工作原理和工作特性IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N一层的空穴（少子），对N一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。IGBT的工作特性...
IGBT模块工作原理、注意事项及检验方法摘要：对IGBT的特性及使用时的注意事项进行了探讨，提出了选择和安装过程中应该注意的方面。《摘自耀族科技》1、IGBT模块简介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor（绝缘栅双极型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和...
提升机变频器IGBT损坏抢修预案一．事故影响提升机变频器是干熄焦主作业线上的重要设备，主要用于完成红焦的装填工作。变频器故障将导致焦罐内红焦无法正常装入冷却塔，进而影响焦炭生产，锅炉产气及汽机的运行。二．人员组织电工4人，岗位工3人三．工具准备梅花式专用内六角1套把，眼镜扳手4把，套筒工具1套，万用表1台，活络把手4把四．备件准备导热硅脂300g，IGBT12个（每相4个视情况准备），逆变触发板6块（每相2块，视情况...
IGBT中频电源的原理工频加热技术与其它各种物理加热技术相比，确实具有较高的效率，但存在一些明显的不足。在现代工业的金属熔炼、热处理、焊接等过程中感应加热被广泛应用。感应加热是根据电磁感应原理，利用工件中涡流产生的热量进行加热的，它加热效率高速度快、可控性好，易于实现高温和局部加热[1]。随着电力电子技术的不断成熟，感应加热技术得到了迅速发展本文设计的70KW/500HZ中频感应加热电源采用IGBT串联...
板子的解读a、有电气接口，即插即用，适用于17mm双管IGBT模块b、基于SCALE-2芯片组双通道驱动器命名规则：工作框图---本文来源于网络，仅供参考，勿照抄，如有侵权请联系删除---MOD（模式选择）MOD输入，可以选择工作模式直接模式如果MOD输入没有连接（悬空），或连接到VCC，选择直接模式，死区时间由控制器设定。该模式下，两个通道之间没有相互依赖关系。输入INA直接影响通道1，输入INB直接影响通道2...
IR2110在IGBT驱动电路中的应用IR2110在IGBT驱动电路中的应用收藏|分类:|查看:6101|评论(0)摘要：针对IGBT的半桥或者全桥的驱动，利用具有双通道集成驱动的IR2110来驱动IGBT。对其自举工作原理进行了分析，同时增加了栅极电平箝位电路，克服了IR2110不能产生负偏压的缺点，并在2kW、400V汽车直流充电器中以此驱动IKW40N120T2电路的试验中验证了其理论分析的正确性。用于IGBT或功率MOSFET驱动的集成芯片模块中，应用...
IGBT自举的驱动方式浅谈IGBT自举的驱动方式发布时间：2022-03-2310:00类型：技术前沿286人浏览自举悬浮驱动电源大大简化了驱动电源设计，只用一路电源即可以完成上下桥臂两个功率开关器件的驱动驱动电路的抗干扰技术一、电平箝位自举驱动电路不能产生负偏压，如果用于驱动桥式电路，在半桥电感负载电路下运行，处于关断状态下的IGBT由于其反并联二极管的恢复过程，将承受集电极-发射极间电压的急剧上升。此静态的du...
IGBT中频炉电源控制部分原理及优势工业电炉、IGBT中频炉、IGBT中频感应电炉、IGBT中频感应熔炼炉-湖南株洲华达科技IGBT中频炉电源控制部分原理及优势：（1）IGBT中频电源是一种采用串联谐振式的中频感应熔炼炉，它的逆变器件为一种新型IGBT模块（绝缘栅双极型晶体管，德国生产），它主要用于熔炼普通碳素钢、合金钢、铸钢、有色金属。它具有熔化速度快、节能、高次谐波污染低等优点。（2）IGBT中频电源为一种恒功率...
IGBT中频电源原理IGBT中频电源的原理工频加热技术与其它各种物理加热技术相比，确实具有较高的效率，但存在一些明显的不足。在现代工业的金属熔炼、热处理、焊接等过程中，感应加热被广泛应用。感应加热是根据电磁感应原理，利用工件中涡流产生的热量进行加热的，它加热效率高、速度快、可控性好，易于实现高温和局部加热[1]。随着电力电子技术的不断成熟，感应加热技术得到了迅速发展。本文设计的70KW/500HZ中频感...
IGBT栅极驱动的参数要求和驱动条件IGBT栅极驱动的参数要求和驱动条件1．驱动电路的基本性能IGBT器件的发射极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的静态驱动功率接近于零。但是栅极和发射极之间构成了一个栅极电容CGs，因而在高频率的交替导通和关断时需要一定的动态驱动功率。小功率IGBT的CGs一般在10~l00pF之内，对于大功率的绝缘栅功率器件，由于栅极电容CGs较大，在1~l00pF，甚至更大，因...
IGBT怎么测量好坏IGBT怎么测量好坏l、判断极性首先将万用表拨在R×1K。挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C)：黑表笔接的为发射极（E）。2、判断好坏将万用表拨在R×10KQ档，用黑表笔接IGBT的集电...
IGBT在不间断电源中的应用IGBT在不间断电源中的应用ApplicationofIGBTintheUninterruptiblePowerSystem厦门科华电子有限公司技术部郑旺发郭贵华曾奕彰陈赐松摘要：本文介绍了绝缘栅双极晶体管（IGBT）在不间断电源系统中的应用情况，分析了IGBT在UPS中损坏的主要原因和实际应用中应注意的问题。Abstract:ThispaperintroducestheapplicationofIGBTinUPS,discusseswhatcauseIGBTtobreakandgivesouttheresolutions.叙...
IGBT驱动全参数计算详解IGBT驱动参数计算详解大功率IGBT模块在使用中驱动器至关重要，本文介绍在特定应用条件下IGBT门极驱动性能参数的计算方法，经验公式及有关CONCEPT驱动板的选型标准，得出的一些参数值可以作为选择一款合适IGBT驱动器的基本依据。1门极驱动的概念IGBT存在门极-发射极电容Cge，门极-集电极电容Cgc，我们将IGBT的门极等效电容定义为Cg，门极驱动回路的等效电路如下图所示：其本质是：一个脉冲电...
IGBT驱动电路设计与保护IGBT模块驱动及保护电路设计1引言IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。IGBT是电压控制型器件，在它的栅极?发射极间施加十几V的直流电压，只有μA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。但IGBT的栅极...
