IGBT驱动的欠压保护电路及过流保护电路IGBT驱动的欠压保护电路及过流保护电路作者：海飞乐技术时间：2022-06-1914:321.欠压保护电路一般情况下，IGBT栅极电压VGE需要+15V才能使IGBT进入深饱和。如果VGE低于10V时，IGBT将工作在线性区，并且很快因过热而被烧坏。lGBT驱动要求电源电压为正电压不低于10V，负电压不低于-12V，一般欠压保护常用稳压管检测电源电压以保护IGBT。欠压保护电路如图1所示，采用两只稳压值分...
IGBT驱动保护电路引言电阻焊是一种重要的焊接工艺，具有生产效率高、成本低、节省材料和易于自动化等特点。中频直流逆变电阻焊接电源作为一种新型的控制电源，以其显著的高质低耗的特点成为电阻焊电源的发展方向。IGBT是一种用MOS管来控制晶体管的电力电子器件,具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差,一旦出现意外就容易损坏。为此,必须对IGBT进行保护。本文从实...
IGBT驱动板的组成部分及保护方法IGBT驱动板的组成部分及保护方法作者：海飞乐技术时间：2022-05-1811:27本文对IGBT的几种失效方式进行了概述，提出了驱动板的几个主要组成部分和具体的保护方法。1.IGBT的失效形式IGBT驱动板的功能，简而言之就是驱动和保护IGBT。但是这并不能保证器件完全不受损坏。这里可以将造成IGBT失效的方式简单的分为三种。(1)设计和制造时由于工艺等条件的局限性，会使IGBT器件本身有一定的...
IGBT模块工作原理以及检测方法IGBT模块工作原理以及检测方法IGBT模块简介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor（绝缘栅双极型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFE和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFE器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFE与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz...
IGBT模块的原理及保护事项IGBT模块的原理及保护事项IGBT模块的原理及保护事项IGBT原理及保护技术电压时，也具有低的通态电压。IGBT的工作特性包括静态和动态两类：1．静态特性IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似．也可分为饱和区1、放...
IGBT绝缘栅双极晶体管IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的英文缩写绝缘门双极性晶体管绝缘栅双极晶体管缩写IGBTMOSFET是场效应管，因为只有一个极性的粒子导电，又称为单极性晶体管。是功率管，有放大作用，IGBT的本质就是一个场效应管，不过是在场效应管的基础上加上了P+层。是结合了场效应管＆双极性晶体管的特点。IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿...
IGBT过流和短路保护的简单方法IGBT过流与短路保护IGBT是高频开关器件，芯片内部的电流密度大。当发生过流或短路故障时，器件中流过的大于额定值的电流时，极易使器件管芯结温升高，导致器件烧坏。因此，对IGBT的过流或短路保护响应时间必须快，必须在10us以内完成。应用实践表明：过电流是IGBT电力电子线路中经常发生的故障和损坏IGBT的主要原因之一，过流保护应当首先考虑。须指出的是：过流与短路保护是两个概念...
IGBT过流和短路保护IGBT过流与短路保护IGBT过流与短路保护IGBT是高频开关器件，芯片内部的电流密度大。当发生过流或短路故障时，器件中流过的大于额定值的电流时，极易使器件管芯结温升高，导致器件烧坏。因此，对IGBT的过流或短路保护响应时间必须快，必须在10us以内完成。应用实践表明：过电流是IGBT电力电子线路中经常发生的故障和损坏IGBT的主要原因之一，过流保护应当首先考虑。须指出的是：过流与短路保护是...
IGBT工作原理及应用IGBT工作原理及应用1IGBT的工作原理IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：IGBT栅极与发射极之间的电压;IGBT集电极与发射极之间的...
IGBT短路原因及其保护措施IGBT短路原因及其保护措施工作时，外部事故或者硬件/软件的错误会导致短路。根据短路发生的时间点与IGBT工作状态的不同，可以分为以下两种短路：SC1短路，IGBT开通前已经发生短路；SC2短路，IGBT开通后发生短路。实际短路电流常常超过IGBT数据手册中标注的短路电流lSC，这是由于实际工况往往超规格书给定条件。通常这些给定条件包括栅极电压UGE为15V，最大结温Tvi,op(125℃或150℃)，特定...
IGBT的驱动电路及保护电路IGBT是绝缘栅极双极型晶体管。它是一种新型的功率开关器件，电压控制器件,具有输入阻抗高、速度快、热稳定性强、耐压高方面的优点，因此在现实电力电子装置中得到了广泛的应用。在我们的设计中使用的是西门子公司生产的BSM50GB120，它的正常工作电流是50A，电压为1200V，根据具体的情况需要，还可以选取其它型号的IGBT。对于IGBT的驱动电路模块，市场上也有卖的，其中典型的是EXB840、2SD3...
IGBT的结构原理与特性图解IGBT的结构原理与特性图解在IGBT得到大力发展之前，功率场效应管MOSFET被用于需要快速开关的中低压场合，晶闸管、GTO被用于中高压领域。MOSFET虽然有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、驱动电路简单的优点;但是，在200V或更高电压的场合，MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加会迅速增加，使得其功耗大幅增加，存在着不能得到高耐压、大容量元件等缺陷。双极晶体管具有优异的低正向导通...
IGBT的结构和工作原理IGBT的结构和工作原理图1所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannelregion）。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Draininjector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道...
IGBT的工作原理与工作特性IGBT的工作原理和工作特性IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N一层的空穴（少子），对N一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使IGBT在高电压时...
IGBT的工作原理和工作特性.pdfIGBT的工作原理和工作特性IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N一层的空穴（少子），对N一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使IGBT在高电...
新材料行业分析报告——IGBT行业分析编写日期：2010年11月编写说明本报告根据整体行业、行业细分、公司选择的思路方向，对当今新材料行业、新材料之IGBT行业及其重点关注公司进行了一系列的数据汇总与相关分析。新材料是指新近发展的或正在研发的、性能超群的一些材料，具有比传统材料更为优异的性能。新材料作为高新技术的基础和先导，应用范围极其广泛，它同信息技术、生物技术一起成为二十一世纪最重要和最具发...
IGBT双脉冲测试方法详解IGBT双脉冲测试方法详解IGBT双脉冲测试方法的意义：1.对比不同的IGBT的参数；2.评估IGBT驱动板的功能和性能；3.获取IGBT在开通、关断过程的主要参数，以评估Rgon及Rgoff的数值是否合适。通常我们对某款IGBT的认识主要是通过阅读相应的datasheet，但实际上，数据手册中所描述的参数是基于一些已经给定的外部参数测试得来的，而实际应用中的外部参数都是个性化的，往往会有所不同，因此这些参数有些是不能...
课程设计任务书一、设计题目IGBT降压斩波电路的设计二、设计任务以电力电子技术为核心，完成设计IGBT降压斩波电路的设计三、设计计划第1天熟悉题目，查阅资料第2天方案比较分析第3天考虑个方面因素，怎样设计保护电路第4天驱动，保护电路的设计第5天写好完整的课程设计报告四、设计要求应用课堂上所学的知识，设计一个IGBT降压斩波电路，分析各个部分的性能，确定使用的驱动电路，并做好器件保护指导教师：张继华教研室主任：候...
IGBT在不间断电源（UPS）中的应用1.引言在UPS中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有功率MOSFET易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大的优点、使用IGBT成为UPS功率设计的首选，只有对IGBT的特性充分了解和对电路进行可靠性设计，才能发挥IGBT的优点。本文介绍UPS中的IGBT的应用情况和使用中的注意事项。2.IGBT在UPS中的应用情况绝缘栅双极型晶体管（...
大功率IGBT驱动模块PHD515及其运用摘要：本文介绍了一款国产的大功率IGBT驱动模块PHD515，并就PHD515的性能、特点以及运用做了详细的阐述。关键词：IGBT驱动，PHD515abstract：Thisarticledescribesonemodelofchina-madehigh-powerIGBTdrivemodulePHD515anddetailedintroductionofitsperformance,featuresandapplication.Keywords:IGBTdrive,PHD5151概述PHD515是云南领跑科技有限公司推出的一款国产高性能大功率IGBT驱动模块。P...
