实验硅热氧化工艺在硅片表面生长一层优质的氧化层对整个半导体集成电路制造过程具有极为重要的意义。它不仅作为离子注入或热扩散的掩蔽层，而且也是保证器件表面不受周围气氛影响的钝化层，它不光是器件与器件之间电学隔离的绝缘层，而且也是MOS工艺以及多层金属化系统中保证电隔离的主要组成部分。因此了解硅氧化层的生长机理，控制并重复生长优质的硅氧化层方法对保证高质量的集成电路可靠性是至关重要的。在硅片表面形成SiO2...
真空硅热还原法制备金属锶邹兴武1,2，王树轩1，杨占寿1，王舒娅1，祁米香1(1.中科院青海盐湖研究所，西宁810008；2.中国科学院研究生院，北京100049)摘要：采用真空硅热还原法制备了纯度达98%~99%的金属锶。研究了还原温度、保温时间、制团压力、硅铁过量系数、反应物粒度等对锶还原率的影响。结果表明，在下述最佳工艺条件下，即真空度在0~100Pa，硅铁过量30%，制团压力30MPa，还原温度1250℃，保温2.5h，锶还原率可达57%，XRD...
