行业标准《碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法》（预审稿）编制说明-工作简况.立工程的及意义碳化硅具有宽的禁带宽度、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力、高电子饱和速率等特点，适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作，是第三代宽带隙半导体材料的重要组成单元。“统计目录”中3.4.3.1半导体晶体制造-3985*-电子专用材料制造（碳化硅单晶和单晶片）；“领航”中二、主要行动-（二）4先进半导体材料明...
