GaAs基AlGaInP发光二级管亮度提升研究郑元宇摘要：文章采用VEECO型MOCVD外延了GaAs基AlGaInP发光二级管，通过外延中各层结构优化来提升亮度。研究表明，采用三个复合中心结构的DBR、最佳NP厚度比、应变结构的MQW、最佳GaP厚度，能更大幅度提升LED的亮度。制备的外延片制作成6mil*6mil尺寸的芯片，采用20mA测得轴向光强为120.6mcd，这与常规结构10mil*10mil的亮度一致。关键词：AlGaInP；亮度提升；复合DBR；发光二级管；结构优...
第20卷第2期核电子学与探测技术Vol120No122000年3月NuclearElectronicsDetectionTechnologyMar.2000用于GaAs半导体探测器的电荷灵敏前置放大器的设计王玉,张永明,李澄,吴瑞生,陈宏芳,汪晓莲(中国科学技术大学近代物理系,合肥230027摘要:介绍了一种用于GaAs半导体探测器,以场效应管和集成运放为主要器件的低噪声的电荷灵敏前置放大器的设计。设计性能指标达到:电荷灵敏度2×1012VC,等效噪声电荷<100(电子2空穴,上升时间<10ns。关...
