行业标准《氮化钱衬底片》编制说明（预审稿）一、工作简况1、立工程的与意义宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。和第一代（Si为代表）、第二代（GaAs为代表）半导体材料相比，以宽禁带为主要特征的第三代半导体以更高的击穿电压、更高的热导率、更高的电子饱和漂移速率和更高的抗辐射能力，开始在军事、航空航天、LED照明等领域崭露头角。其优良的特性使其应用独具特点且不可替代，如：耐高温使得宽禁带半导体可以适用于...
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