《数字电子技术》课程研究性学习报告CMOS边沿D触发器1目录1设计任务及要求..............................................................32概述........................................................................32.1触发器简介............................................................32.2触发器优点............................................................43相关门电路...............................
CMOS闩锁效应探究和其几种预防措施摘要：目前以CMOST艺为基础的集成电路制造方式已经成为当今集成电路产业的主导技术，但早期的CMOS电路由于无法有效预防闩锁效应而并未为人们所接受。文章先对一个CMOS反相器以及它的工作原理进行了详细的介绍,进而在CMOS反相器的基础上对CMOS电路中闩锁效应的产生机理做了充分的分析，提取了用于分析闩锁效应的集总器件模型，并且获得了闩锁效应的产生条件。通过对闩锁效应内部原理的认识，我...
---------------------考试---------------------------学资学习网---------------------押题------------------------------电子科技大学实验报告学生姓名：鄢传宗，梁成豪学号：2011031030010，2011031030009指导教师：王向展2014.6.4楼实验地点：211606实验时间：一、实验室名称：微电子技术实验室二、实验项目名称：CMOS模拟集成电路设计与仿真4三、实验学时：四、实验原理IC设计与制造的主要流程确定根据用途要求，系统总...
标准数字CMOS工艺正交压控振荡器设计摘要：正交压控振荡器是高速链路中的一个关键部件.片上集成高质量品质的电感电容等无源器件是影响压控振荡器性能的关键因素.为了兼容传统的数字工艺，采用超深亚微米的数字CMOS工艺进行片上电感电容的集成，并基于此无源器件实现了基于电容耦合的正交压控振荡器，实现中心频率16.12GHz，频率调节范围为10%，1M频偏处的相位噪声为-112dBc，相位误差小于0.39°.关键词：QVCO；phasenoise；CMOS...
CMOS传感器公司企业文化管理延伸工程目录第一章公司简介3一、基本信息3二、公司简介3三、公司主要财务数据4第二章企业文化管理延伸工程5一、中国民族文化特征5二、中国企业文化精髓9三、顾客满意度调查与评估18四、CS与企业文化的关系22五、解析品牌26六、品牌文化的塑造38第三章项目概况49一、项目概述49二、项目总投资及资金构成50三、资金筹措方案51四、项目预期经济效益规划目标51五、项目建设进度规划51第四章...
第26卷第10期2005年10月半导体学报CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORSVol.26No.10Oct.,20052004211229收到,2005206217定稿ν2005中国电子学会一种改进的CMOS差分LC压控振荡器李永峰张建辉(北京微电子技术研究所,北京100076摘要:介绍了一种改进的LC振荡器设计方法.谐振回路采用非对称电容结构,与常见的振荡器结构相比,经改进后的电路结构可以获得更好的相位噪声.基于0135μmCMOS工艺,设计了一种采用补偿Colpitts振荡器电路结构实现...
一种带增益提高技术的高增益CMOS运算放大器的设计王学权,梁齐(合肥工业大学理学院安徽合肥2)30009摘要:给出了一种用在高速高精度流水线型模数转换器中的具有高增益和高单位增益频率的全差动CMOS运算放大器的设计,电路结构主要采用折叠式共源共栅结构,并采用增益提高技术提高放大器的增益。共模反馈电路由开关电容共模反馈电路实现。模拟结果显示,其开环直流增益可达到1在负载电容为2p,满06dB,F时单位增益频率达到了167MHz足了对...
一种CMOS动态闩锁电压比较器的优化设计李建中1,2，魏同立1（1.东南大学微电子中心，南京，210096；2.解放军理工大学通信工程学院，南京，210007）摘要：提出了一种应用于PipelineADC和Sigma-DeltaADC中改进的动态闩锁电压比较器。采用0.35μmCMOSN阱工艺设计，工作于2.5V单电源电压。通过详细的分析和优化，使比较器具有较小的输入失调电压和踢回噪声，仿真结果表明它的输入失调电压分布范围为28.6mV，最高的工作达200MHz、功耗...
