Mg杂质调控高Al组分AlGaN光学偏振特性郑同场，林伟*，蔡端俊，李金钗，李书平，康俊勇*（厦门大学物理与机电工程学院，福建省半导体材料及应用重点实验室，福建厦门361005）摘要：高Al组分AlGaN带边发光以e光为主的发光特性，从根本上限制了沿c面生长器件的正面出光，成为光电器件发光效率急剧下降的主要原因。第一性原理模拟计算表明AlxGa1-xN混晶的晶格常数比c/a偏离理想值程度随Al组分的增大而增大，导致晶体场...
